北方华创进军离子注入设备市场
3月26日，在SEMICON China 2025大会上，北方华创正式宣布进军离子注入设备市场，并发布首款离子注入机Sirius MC 313。此举标志着北方华创正在半导体核心装备的战略布局上又迈出了重要一步，基本覆盖了除光刻之外的所有半导体前道制造设备。
离子源
质谱仪常见问题及使用经验有哪些
对于岛津、安捷伦、Sciex等常见品牌的二手气质联用仪，二手液质联用仪等，我们来详细谈谈关于质谱仪常见问题及使用经验，希望能够对您有所帮助。
离子注入工艺参数
掺杂离子的整体浓度主要受注入剂量的影响。剂量由束流密度（即单位面积上的离子数量）和注入时间的乘积决定，其具体范围与离子注入设备的性能密切相关。通常，中束流/高能注入机的剂量范围在1011 ~1014cm-2。高束流注入机则在1014~1016cm-2之间，剂量
聚焦离子束技术中液态镓作为离子源的优势
聚焦离子束（FIB）技术在半导体芯片制造领域扮演着至关重要的角色。它不仅能够进行精细的结构切割和线路修改，还能用于观察和制备透射电子显微镜（TEM）样品。
FIB为什么要用液态镓来做离子源？
FIB，全名Focused Ion Beam，聚焦离子束，在芯片制造中十分重要。主要有四大功能：结构切割，线路修改，观察，TEM制样等。