旺宏电子申请三维存储器专利，可为具有高容量与高性能的3D AND快闪存储器或3D NOR快闪存储器
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器”的专利，公开号CN119967817A，申请日期为2023年11月。
高容量
科学家开发出下一代储能技术 可同时实现高功率和高容量
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旺宏电子申请存储器元件专利，存储器元件具有高容量与高性能
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN 119677113 A，申请日期为2023年9月。
T#2-Li0.69CoO2：一种耐用、高容量、高倍率锂离子电池正极材料
随着对高能量密度和可持续能源存储解决方案的需求不断增加，锂离子电池因其卓越的性能和广泛的应用而成为现代能源存储系统的核心。然而，传统的层状过渡金属氧化物（LTMO₂）如O3-LiCoO2在充放电过程中面临着明显的容量衰退问题，这主要源于深度去锂化时晶格应力和氧