光刻技术资讯

从0到1！国产193纳米涡旋光束激光问世，光刻技术有望弯道超车！

这一突破性成果3月9日发表在光学专业期刊《Advanced Photonics Nexus》上，由中国科学院研究团队完成，为半导体制造技术提供了新的可能性，或打开我国光刻机技术全新突破口！

从支持大语言模型的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘AI，各种应用对尖端半导体的需求都在加速增长。但制造这些芯片严重依赖极紫外（EUV）光刻技术，这已成为扩大生产的最大障碍之一。自2019年首批商用EUV芯片下线以来，设备、掩模生成和光

9月，佳能交付了一种技术的首个商业版本，该技术有朝一日可能颠覆最先进硅芯片的制造方式。这种技术被称为纳米压印光刻技术（NIL，nanoimprint lithography），它能够绘制出小至14纳米的电路特征——使逻辑芯片达到与英特尔、超微半导体（AMD）和

香港科技大学（港科大）工学院成功研发一款全球首创的深紫外microLED显示阵列晶元，此高光效晶元可配合无掩模紫外光光刻技术，提升其光输出功率密度准确性，并以较低成本及更速效的方法推动半导体晶片生产的技术发展。

近期，香港科技大学Feng Feng和南方科技大学刘召军教授等携手改进UVC微LED的制备工艺，成功实现了270 nm波长的高效UVC微LED，3 μm的微LED达到了创纪录的5.7%峰值外量子效率和396 W cm⁻²的最大亮度。以上成果在Nature Ph

图 | 段辉高（来源：段辉高）其通过力学剥离替代传统的湿法溶剂剥离工艺，实现了无需化学溶剂的图形转移，仅利用普通日用品“胶带”即可完成去胶过程。该方法从源头上消除了去胶过程中有害化学品的使用，不仅降低了化学足迹，还简化了工艺流程。该范式具有 100% 的工艺良

该范式具有 100% 的工艺良率，兼容多尺度结构（纳米至晶圆级）及多工艺场景，还可用于难加工衬底表面的图形转移，为绿色光刻和多功能化微纳加工提供了全新解决方案。