DRAM，颠覆性方案
近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单
浮体
区域创新发展联合基金项目“自航单浮体气动式波浪能高效转换机理研究及验证试验”结题验收
3月20日，由中国科学院广州能源研究所海洋能科研团队承担的2020年度区域创新发展联合基金项目-广东-“自航单浮体气动式波浪能高效转换机理研究及验证试验”在北京通过结题验收。
3D DRAM，将要到来
内存行业以保守著称，通常倾向于渐进式改进而非革命性变革。但展望本世纪末，世界似乎将迎来 3D 单片堆叠 DRAM 的出现。剩下的唯一问题是它将采取何种形式以及何时可以投入量产。