EG1416:高速低侧栅极驱动器,峰值2A对称驱动能力,适用于MOSFET与IGBT
EG1416单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG1416的电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小于1uA。当 VCC
EG1416单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG1416的电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小于1uA。当 VCC