旺宏电子申请三维存储器专利，可为具有高容量与高性能的3D AND快闪存储器或3D NOR快闪存储器
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器”的专利，公开号CN119967817A，申请日期为2023年11月。
快闪存储器
旺宏电子申请存储器元件专利，存储器元件可以是具有高容量与高性能的 3D NAND 快闪存储器
金融界 2025 年 3 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号 CN 119697994 A，申请日期为 2024 年 1 月。
旺宏电子申请叠对标记专利，可应用于制造高容量高性能3D NAND快闪存储器
国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“叠对标记”的专利，公开号CN 119668040 A，申请日期为2023年9月。
旺宏电子申请存储器系统及操作方法专利，基于 3D NAND 快闪存储器具备特定性能
金融界 2025 年 3 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器系统及操作存储器系统的方法”的专利，公开号 CN 119620921 A，申请日期为 2024 年 1 月。