长江存储申请用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法专利，提供一种用于形成三维存储器器件的方法
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，公开号CN120050935A，申请日期为2021年12月。
字线触点
长江存储科技取得用于三维 NAND 存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法专利
金融界 2025 年 3 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司取得一项名为“用于三维 NAND 存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，授权公告号 CN 114556564 B，申请日期为 2021 年 12 月。