【高峰论坛】氧化镓专场报告，邀您共话氧化镓技术产业化破局之路
7月15日-17日，“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛”将于安徽省芜湖市盛大召开。论坛将聚焦宽禁带半导体产业链耗材-设备-材料-外延-器件-应用上中下游全产业链，设有产业链协同发展的关键技术突破、宽禁带半导体应用场景新拓展
氧化镓
碳化硅：从“芯”出发，解锁高性能半导体新纪元！
碳化硅圈最近可热闹啦！就在6月8日，天岳先进斩获第二十五届中国专利银奖，这可是对它在碳化硅领域技术实力的盖章认证！这边技术奖项拿到手软，那边行业盛会也来凑趣，6月13日充电头网要举办“2025世界碳化硅大会”，全球大咖云集线上直播。那今天小行就带大家来聊聊这背
电磁频谱的革命：中国雷达技术突破与海洋战略重构
中国在“黄纬禄”号试验舰上完成的氧化镓雷达测试，标志着全球军事科技进入“超视距感知”的新纪元。这款探测隐身战机达400公里、弹道导弹达4500公里的颠覆性装备，不仅是单件武器的升级，更是对未来海战规则的重新定义。当055B驱逐舰即将成为其首装平台时，中国海军正
投资动态丨“拓诺稀科技”首个生产厂房在南沙启用，赋能湾区半导体材料产业集群
近日，由香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学（广州）联合孵化的“拓诺稀科技”迎来里程碑时刻——其位于南沙的首个先进生产厂房正式启用！该厂房配备高标准洁净室设施和完善的生产研发配套，具备批量化外延制备能力，实现 “从实验室走向产业”，为大规模推进氧化镓外延产品
2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）在南京召开
5月23-24日，2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）在南京举办。本次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，南京邮电大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业共同主办，南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）、
碳化硅市场，依旧繁荣
2025年5月，富士经济对全球功率半导体晶圆市场进行了调查，并发布了截至2035年的预测。其中，碳化硅（SiC）晶圆市场尤为引人注目，预计其规模将从2024年的1436亿日元扩大至2035年的6195亿日元，增幅约为4.3倍。
中美预警机博弈：中国升级雷达，美国用卫星替代？
空警-3000的核心突破在于全球首创的氧化镓相控阵雷达。这种第四代半导体材料的禁带宽度达4.8eV，是氮化镓的1.6倍，可将雷达发射功率提升3倍，同时将能耗降低60%。实测数据显示，搭载氧化镓雷达的空警-3000对F-22隐身战机的探测距离从传统雷达的60公里
瞄向未来，青岛落子下一个产业周期
具体来说，青岛将优先发展太赫兹、海洋电子信息、深海开发、空天信息、类脑智能、量子信息、先进半导体材料、卫星互联网等未来产业，谋划布局一批未来交叉前沿领域细分赛道。
培育未来产业，青岛发力八大细分赛道
具体来说，青岛将优先发展太赫兹、海洋电子信息、深海开发、空天信息、类脑智能、量子信息、先进半导体材料、卫星互联网等未来产业，谋划布局一批未来交叉前沿领域细分赛道，通过实施科技创新策源、成果转化孵化、企业引育成长、场景应用牵引、产业生态营造等措施，推动实现关键核
报告嘉宾公布！2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD2025）
为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，南京邮电大学、极智半导体产业网和第三代半导体产业联合主办，将于2025年5月22-24日在中国南京举办“2025中国功率半导体器件与集成电路会议 （CSP
3~4英寸Fe掺高阻β-Ga₂O₃单晶的制备及其性能研究
β-Ga2O3作为超宽禁带半导体材料，因优异的耐高压性能（理论击穿场强达8 MV/cm）和低成本制备潜力，在高压功率电子器件领域备受关注。然而，β-Ga2O3高熔点（约1800 ℃）、各向异性强、易解理等特性使得大尺寸高质量单晶生长难度极大。导模法（EFG）虽
技术前沿｜一文解读氧化镓外延技术
氧化镓（Ga₂O₃）作为新兴的第四代半导体材料，因其超宽的禁带宽度（~4.9eV）、高击穿场强（8MV/cm）和优异的Baliga品质因数（约为SiC的10倍、GaN的4倍），在高压功率器件、深紫外光电器件及极端环境电子设备中展现出巨大潜力。与第三代半导体碳化
3000万美元建小晶圆厂！非洲等地区将成可能
两家公司已经开始销售小型晶圆厂，即可以在小空间内建造的半导体制造工厂。虽然建造一个典型的半导体工厂的成本可能高达数十亿美元，但一个小型工厂仅需3000 万美元就可以建造整个半导体制造设施。
论文推介丨氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究
如何同质外延生长出具有原子级平整的氧化镓(Ga2O3）单晶薄膜，是制备高性能Ga2O3基功率电子器件或紫外光电器件的基础。由于通用衬底存在非理想整数指数表面，二维“台阶流”生长被广泛认为是实现上述高质量单晶薄膜的理想方法，并适用于大功率电子器件的制造。然而，受
功率芯片，还要熬一年
富士经济于2025年4月3日对全球功率半导体市场进行了调查，并宣布到2035年将达到7.771万亿日元，市场规模将是2024年的2.3倍。虽然2024年会因电动汽车（EV）需求放缓而出现库存积压，但该公司预测，从长远来看，由于电动汽车的普及等因素，功率半导体市
综述与述评 | 超宽禁带半导体材料发展现状与展望
文章分析了以金刚石、氧化镓、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料的主要特点及战略需求，系统梳理了国内外超宽禁带半导体材料的主要技术和产业进展，提出了当前待突破的关键技术问题和发展建议，以期为后续中国超宽禁带半导体材料的发展提供参考。
中国反隐身雷达性能一流世界领先，美国用特殊手段对抗，管用吗？
西太平洋的夜空被三道电磁波纹搅动。当美军F-35C舰载机在冲绳紧急转向，当日本自卫队突然升级那霸基地的电子战系统，当澳大利亚海军连夜撤回南海侦察舰——这些反常举动的背后，是中国反隐身雷达的探测网已覆盖第一岛链。今天咱们就掀开这层"电磁面纱"，看看能让隐身战机现
中国氧化镓雷达横空出世：让隐身战机“裸奔”的黑科技有多强？
2025年3月，杭州镓仁半导体的一则消息震动全球军工界，全球首颗8英寸氧化镓单晶成功量产。这为氧化镓雷达的制造提供了材料基础。这块直径20厘米的“透明圆盘”，不仅让中国在第四代半导体领域实现跨越式领先，更可能彻底改写现代空战规则。
NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍！
株式会社 Novel Crystal Technology （总部：埼玉县狭山市，社长仓又朗人）在防卫装备厅安全保障技术研究推进制度（JP004596）“反向 MOS 沟道型氧化镓晶体管的研究开发”项目中，成功开发了功率品质因数（PFOM）达到 1.23 GW
垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本
近年来，第四代超宽禁带半导体材料氧化镓（β-Ga2O3）因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性，在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而，传统导模法（EFG）单晶生长技术因依赖贵金属铱坩埚而导致成本高昂，成为氧化镓产业化的主要瓶颈