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论文推介丨氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究

如何同质外延生长出具有原子级平整的氧化镓(Ga2O3）单晶薄膜，是制备高性能Ga2O3基功率电子器件或紫外光电器件的基础。由于通用衬底存在非理想整数指数表面，二维“台阶流”生长被广泛认为是实现上述高质量单晶薄膜的理想方法，并适用于大功率电子器件的制造。然而，受

富士经济于2025年4月3日对全球功率半导体市场进行了调查，并宣布到2035年将达到7.771万亿日元，市场规模将是2024年的2.3倍。虽然2024年会因电动汽车（EV）需求放缓而出现库存积压，但该公司预测，从长远来看，由于电动汽车的普及等因素，功率半导体市

文章分析了以金刚石、氧化镓、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料的主要特点及战略需求，系统梳理了国内外超宽禁带半导体材料的主要技术和产业进展，提出了当前待突破的关键技术问题和发展建议，以期为后续中国超宽禁带半导体材料的发展提供参考。

西太平洋的夜空被三道电磁波纹搅动。当美军F-35C舰载机在冲绳紧急转向，当日本自卫队突然升级那霸基地的电子战系统，当澳大利亚海军连夜撤回南海侦察舰——这些反常举动的背后，是中国反隐身雷达的探测网已覆盖第一岛链。今天咱们就掀开这层"电磁面纱"，看看能让隐身战机现

2025年3月，杭州镓仁半导体的一则消息震动全球军工界，全球首颗8英寸氧化镓单晶成功量产。这为氧化镓雷达的制造提供了材料基础。这块直径20厘米的“透明圆盘”，不仅让中国在第四代半导体领域实现跨越式领先，更可能彻底改写现代空战规则。

株式会社 Novel Crystal Technology （总部：埼玉县狭山市，社长仓又朗人）在防卫装备厅安全保障技术研究推进制度（JP004596）“反向 MOS 沟道型氧化镓晶体管的研究开发”项目中，成功开发了功率品质因数（PFOM）达到 1.23 GW

近年来，第四代超宽禁带半导体材料氧化镓（β-Ga2O3）因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性，在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而，传统导模法（EFG）单晶生长技术因依赖贵金属铱坩埚而导致成本高昂，成为氧化镓产业化的主要瓶颈

以前网上老有人说，日本从2010年以后就开始全面不行了，特别是在做消费电子这块儿。他们觉得，日本从20世纪末到21世纪初那会儿的老大地位，现在已经彻底没了，简直就是翻了个大跟头。而且啊，听说日本连“白家电”这些业务都一股脑儿卖给了海尔这些中国公司，这事儿更是让

中国半导体界扔出一颗“王炸”——全球首颗8英寸氧化镓单晶在杭州量产，直接把美国F-22战斗机的隐身神话锤成渣！这玩意儿能让雷达探测距离暴增到1000公里，什么五代机、六代机，在咱的“镓族雷达”面前全成裸奔！

美国俄亥俄州立大学（OSU）就利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）提高氧化镓（β-Ga2O3）外延的生长速度进行了报告 [Dong Su Yu et al, Appl. Phys. Lett., v125, p242106 2024]。研究团队特别研究了改变

在科技的快速发展中，超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓（Ga2O3）晶相异质结（Phase Heterojunction）的新研究发表在《Advan

近期，中国科学院宁波材料技术与工程研究所硅基太阳电池及宽禁带半导体团队与郑州大学金刚石材料与器件团队、南京大学以及哈尔滨工业大学的研究团队紧密合作，在国际权威期刊Nano Letters上，以“Ultrawide Bandgap Diamond/ε-Ga2O3

2024年，全球半导体行业虽然未像预期那般出现全面复苏，但生成式人工智能(AIGC)、汽车电子和通信技术的快速发展，却奠定了底层技术在2025年的基础，为半导体行业在新一年中回暖带来了新的希望。

2024年，全球半导体行业虽然未像预期那般出现全面复苏，但生成式人工智能(AIGC)、汽车电子和通信技术的快速发展，却奠定了底层技术在2025年的基础，为半导体行业在新一年中回暖带来了新的希望。

近期，国产半导体行业迎来一些重要突破，涉及景嘉微、龙芯中科、镓仁半导体、连科半导体、中欣晶圆、国芯科技、澜起科技等企业，相关技术涵盖了GPU、MCU芯片、时钟芯片、碳化硅、氧化镓等多个半导体关键领域。

碳化硅 mcu 氧化镓 2024-12-04 13:58 13

深圳平湖实验室第四代材料与器件课题组针对氧化镓价带能级低和p-型掺杂困难等问题，采用铑固溶方式理论开发了新型β相铑镓氧三元宽禁带半导体。该成果“Rhodium-Alloyed Beta Gallium Oxide Materials: New Type Ter