Ga2O3 作为一种超宽禁带半导体材料，兼具宽禁带特性、优异的巴利加优值及高击穿电压等优势。Ga2O3 通常有五种多晶型，其中 β-Ga2O3 因其最高的稳定性和较低的成本被认为最有应用前景。β-Ga2O3 因其优异的性能常用于大功率器件，而高性能 β-Ga2

激光 武汉大学 刘胜 刘胜院士 武汉大学刘胜 2025-05-08 09:04  6