科研成果｜高整流、超低漏p-Si/n-AlN异质结PN二极管 随着微电子技术的持续发展，超宽禁带半导体材料在高功率和射频电子领域引发了广泛关注。近日，一项关于超宽禁带氮化铝（AlN）异质结器件的最新研究成果发表于《IEEE Electron Device Letters》。该研究由威斯康星大学麦迪逊分校马振强教授团队与阿 pn 异质结 二极管 pn二极管 异质结pn 2025-05-27 12:01 4