国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“包括中空外延沟道的3D存储器”的专利，公开号CN120077753A，申请日期为2023年11月。

nand 存储器 快闪存储器 中空外延 外延沟道 2025-05-31 09:50  3