灿芯半导体申请减少ESD面积的DDR主驱动电路专利，实现节省成本的目的 国家知识产权局信息显示，灿芯半导体（成都）有限公司申请一项名为“一种减少ESD面积的DDR主驱动电路”的专利，公开号CN120071987A，申请日期为2025年04月。 半导体 esd ddr 驱动电路 esd面积 2025-06-02 13:31 3
