高功率密度和低微波噪声系数的C波段β-Ga₂O₃-on-SiC射频MOS 本研究部分由国家自然科学基金委员会（NSFC）资助，项目编号为62222407、62421005，部分由广东省基础与应用基础研究基金资助，项目编号为2023B1515040024。 射频 微波 mos c波段 射频mos 2025-08-05 09:15 3