DRAM，颠覆性方案
近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单
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长江存储申请一种存储器的操作方法专利，改善数据加密安全性
金融界 2025 年 5 月 8 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种存储器的操作方法、存储器及存储系统”的专利，公开号 CN119943111A，申请日期为 2023 年 11 月。
长江存储科技取得用于三维 NAND 存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法专利
金融界 2025 年 3 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司取得一项名为“用于三维 NAND 存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，授权公告号 CN 114556564 B，申请日期为 2021 年 12 月。
长江存储申请存储系统相关专利，解决读取性能下降问题
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统”的专利，公开号 CN 119649878 A，申请日期为2023年9月。
DRAM：一文读懂DRAM的工作原理与应用
动态存储，DRAM 需要不断地刷新才能保持数据，因为它是利用电容存储电荷的原理来保存数据，而电容会随着时间逐渐放电，所以需要定期刷新以补充电荷，维持数据的稳定。
格科微电子取得 ADC 动态逻辑翻转电路、字线电压选择电路及存储单元电路专利
金融界 2024 年 12 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司取得一项名为“ADC 动态逻辑翻转电路、字线电压选择电路及存储单元电路”的专利，授权公告号 CN 106657834 B，申请日期为 2016 年 12 月。