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芯忆联申请快速判定VT变化趋势专利，显著提高判定VT变化趋势的速度

国家知识产权局信息显示，成都芯忆联信息技术有限公司申请一项名为“快速判定VT变化趋势的方法、装置、计算机设备及存储介质”的专利，公开号CN120072007A，申请日期为2025年02月。

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，公开号CN120050935A，申请日期为2021年12月。

在近日举办的 “IMW 2025” 盛会上，三星电子详细阐述了下一代 DRAM 和 NAND 闪存的演变历程与未来挑战。回顾存储技术多年来的变迁，不论是 DRAM 还是 NAND 闪存，都正面临诸多阻碍其进一步发展的难题。在主题演讲中，三星表达了对探寻解决方案

回溯至1990年代，DRAM单元的选择晶体管主要依赖于平面n沟道MOSFET。然而，随着21世纪的到来，短沟道效应与关断漏电流问题日益凸显，迫使工程师们探索新的晶体管结构。一种创新设计应运而生，它能在不缩短沟道长度的前提下，实现晶体管在横向方向上的微型化，从而

在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平）方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技

金融界 2025 年 5 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“将 NAND 串的邻近字线驱动到目标电压电平”的专利，授权公告号 CN113168878B，申请日期为 2020 年 04 月。

仅在2024年，半导体芯片的产量就达到了惊人的1万亿颗，相当于地球上每个人拥有100颗芯片。这一数字背后，是一个行业正在竞相突破半导体的物理极限，以提供更高的性能，满足先进人工智能、高效边缘计算以及智能手机和其他智能设备高端化带来的日益增长的需求。

近日，初创公司NEO 半导体公司再次宣布一项有望彻底改变 DRAM 内存现状的新技：两种新的 3D X-DRAM 单元设计——1T1C 和 3T0C。据介绍，这两类设计将于 2026 年投入概念验证测试芯片，而基于公司现有的 3D X-DRAM 技术，能在新单

金融界 2025 年 5 月 8 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种存储器的操作方法、存储器及存储系统”的专利，公开号 CN119943111A，申请日期为 2023 年 11 月。

金融界 2025 年 3 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司取得一项名为“用于三维 NAND 存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法”的专利，授权公告号 CN 114556564 B，申请日期为 2021 年 12 月。

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统”的专利，公开号 CN 119649878 A，申请日期为2023年9月。

动态存储，DRAM 需要不断地刷新才能保持数据，因为它是利用电容存储电荷的原理来保存数据，而电容会随着时间逐渐放电，所以需要定期刷新以补充电荷，维持数据的稳定。

金融界 2024 年 12 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司取得一项名为“ADC 动态逻辑翻转电路、字线电压选择电路及存储单元电路”的专利，授权公告号 CN 106657834 B，申请日期为 2016 年 12 月。