台积电2nm吊打对手的武器
鉴于现代设计对 SRAM 的依赖程度，SRAM 单元大小和密度是新制造技术的主要特征。根据 ISSCC 2025 先进计划，英特尔 18A 制造工艺（1.8nm 级）的 SRAM 密度显然远低于台积电的 N2（2nm 级），并且更接近台积电的 N3 。不过，英
鉴于现代设计对 SRAM 的依赖程度，SRAM 单元大小和密度是新制造技术的主要特征。根据 ISSCC 2025 先进计划，英特尔 18A 制造工艺（1.8nm 级）的 SRAM 密度显然远低于台积电的 N2（2nm 级），并且更接近台积电的 N3 。不过，英