【SK海力士：混合键合不仅可用于HBM 还可用于3D DRAM和NAND Flash】《科创板日报》3日讯，SK海力士副总裁近日在学术会议上表示，SK海力士正在推行混合键合在HBM上的应用。目前正处于研发阶段，预计最早将应用于HBM4E。据他介绍，目前客户对HBM的要求为：增加带宽、提高功率效率、提高集成度。混合键合就是可以满足此类需求的技术。它减少了HBM上堆叠的DRAM之间的间隙，从而实现更快的信号传输，并以更低的电阻降低功耗。混合键合技术预计不仅可应用于HBM，还可应用于3D DRAM和NAND Flash。摘要：【SK海力士：混合键合不仅可用于HBM 还可用于3D DRAM和NAND Flash】《科创板日报》3日讯，SK海力士副总裁近日在学术会议上表示，SK海力士正在推行混合键合在HBM上的应用。目前正处于研发阶段，预计最早将应用于HBM4E。据他介绍，目前客户对H
来源：财联社
