三星正在开发第10代V-NAND闪存：超过400层，为未来PCIe 5.0/6.0 SSD做准备

摘要：今年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，单元堆叠层数大概在290层，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，到了9月又带来了1Tb的QLC闪存，进一步巩固了其在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。不过随着SK海力士在11月，宣布量产全球最高的321

今年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，单元堆叠层数大概在290层，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，到了9月又带来了1Tb的QLC闪存，进一步巩固了其在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。不过随着SK海力士在11月，宣布量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，情况发生了一些变化，也让三星感受到了压力。

据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。

其中更重要的是接口速度，第10代V-NAND闪存将达到5.6 GT/s，大约是700 MB/s。意味着大概10个模块就能够让PCIe 4.0 x4接口的速度饱和，20个就能满足PCIe 5.0 x4接口的速度，为三星打造世界最快SSD打造基础。目前的NAND芯片通常每个封装里包含8个或16个模块，也就是说两个NAND芯片就能装入32个模块，提供4TB容量，普通单面SSD的速度就达到了PCIe 6.0 x4接口的一半。

三星计划在ISSCC 2025上推出第10代V-NAND闪存，并于明年开始进入批量生产阶段。按照ISSCC 2025组织方的安排，会议将于2025年2月16日~20日在美国加利福利亚州旧金山举行。

来源：独悟然