摘要：国产EDA市占率6%背后，模拟电路设计工具覆盖28nm工艺，支撑中芯国际65%模拟芯片设计需求，破解Synopsys/Cadence垄断困局。

一、设计层：EDA工具与IP核的破冰之战

华大九天

国产EDA市占率6%背后，模拟电路设计工具覆盖28nm工艺，支撑中芯国际65%模拟芯片设计需求，破解Synopsys/Cadence垄断困局。

概伦电子

器件建模EDA工具切入三星5nm工艺认证链，建模精度误差低于0.5%，成为台积电SPICE模型验证体系首个中国供应商。

芯原股份

全球第三的芯片设计服务商，拥有5600个IP核储备，神经网络处理器IP授权量超1.2亿颗，支撑地平线征程系列芯片算力跃升。

二、设备攻坚战：从薄膜沉积到量检测的逆袭

北方华创

PVD设备攻破14nm铜互连工艺，靶材利用率提升至85%（国际水平75%），单台设备成本较Applied Materials低40%。

拓荆科技

CVD设备突破3D NAND 128层堆叠工艺，薄膜均匀性达±1.5%，打入长江存储核心产线，替代Lam Research份额超30%。

中微公司

CCP刻蚀机挺进5nm逻辑芯片产线，深宽比突破60:1，台积电采购占比提升至15%，创国产设备在尖端制程最高渗透率。

赛腾股份

收购Optima获晶圆表面检测技术，0.1μm缺陷检出率超99.9%，成为SK海力士DRAM产线核心检测设备供应商。

三、材料突围：从硅片到光刻胶的自主化长征

沪硅产业

300mm硅片良率突破75%，月产能达30万片，覆盖中芯国际28nm工艺70%需求，打破信越化学垄断。

龙图光罩

掩模版制程延伸至28nm节点，套刻精度达±1.2nm，支撑韦尔半导体CIS芯片量产，替代DNP产品线。

彤程新材

ArF光刻胶通过中芯国际28nm工艺验证，线宽粗糙度（LWR）降至3.2nm，打破JSR/信越化学长达20年封锁。

江丰电子

靶材纯度突破99.9999%（6N级），铜靶材市占率全球12%，覆盖台积电7nm工艺30%需求。

四、制造堡垒：特色工艺与先进制程的双轨突进

中芯国际

14nm FinFET工艺良率提升至95%，月产能扩至15万片，承担华为麒麟710A处理器全链制造。

华虹公司

90nm BCD工艺全球领先，单芯片集成200V高压器件，支撑比亚迪车规级IGBT模块量产。

晶合集成

显示驱动芯片代工全球市占率29%，0.1μm工艺实现手机AMOLED驱动芯片全自主化。

五、封测军团：从传统封装到先进集成的升维

长电科技

全球第三封测厂的XDFOI™ 3D封装技术，实现1μm凸点间距，支撑海思昇腾910B芯片算力密度提升50%。

Chiplet技术突破7nm/5nm异构集成，AMD锐龙处理器封测份额占比超40%。

晶方科技

12英寸CIS晶圆级封装市占率全球35%，豪威科技48MP手机传感器独家封测商。

存储封测掌握3D堆叠技术，长江存储128层NAND封装良率达99.98%，单月处理能力超3亿颗芯片。

来源：橙子分析师