4 月 8 日消息，半导体行业迎来一则振奋欧洲市场的重磅新闻。德国铁电存储器公司（FMC）高调宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，双方将在德国德累斯顿合力建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线 。这一合作意义非凡，堪称是自 2009 年英飞凌、奇梦达德国 DRAM 工厂破产关停后，欧洲在存储芯片本土化生产领域的首次大胆尝试，备受行业内外瞩目。摘要：半导体行业迎来一则振奋欧洲市场的重磅新闻。德国铁电存储器公司（FMC）高调宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，双方将在德国德累斯顿合力建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线 。这一合作意义非凡，堪称是自 2009 年英飞凌、奇梦达德国 DR
合作核心技术：“DRAM+” 引领变革
此次 FMC 与 Neumonda 合作的核心技术，是 FMC 研发的极具创新性的 "DRAM+" 技术 。在传统的 FeRAM 技术中，一直存在着诸多限制。而 FMC 的这项新技术采用了 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，成功替代了传统的锆钛酸铅 PZT 材料 。这一材料替换带来了革命性的变化，存储容量从传统 FeRAM 的 4 - 8MB 一举提升至 Gb - GB 级别 ，实现了量级上的飞跃。更为关键的是，新的 FeRAM 依旧保持着断电不丢失数据的特性，这在数据安全愈发重要的当下，显得尤为珍贵。FeRAM 技术解析：融合优势的创新产物
FeRAM 作为一种特殊的随机存取存储器技术，与 SDRAM 有着相似之处 。其独特之处在于，使用了一层具有铁电性的材料，取代了原本的介电质，从而赋予了内存非挥发性的功能 。这意味着在设备断电后，存储的数据不会消失，极大地提高了数据存储的可靠性和稳定性。在如今的数字化时代，无论是个人电脑、服务器，还是各类智能设备，都对数据存储的稳定性和高效性提出了更高要求，FeRAM 的特性使其在众多存储技术中脱颖而出，具有广阔的应用前景。合作双方的战略规划与目标
FMC 首席执行官 Thomas Rueckes 对 "DRAM+" 技术的优势进行了深入解读：“铪氧化物的铁电效应能够将 DRAM 电容转变为非易失性存储单元 。这种转变使得新的存储技术在保持高性能的同时，还能实现低功耗 。在当下人工智能运算蓬勃发展的背景下，对持久内存有着极高的需求，而我们的技术恰好能够精准满足这一需求 。”
为了将这一技术从实验室推向市场，合作双方将依托 Neumonda 开发的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大测试系统 。这三大系统构建起了从研发到量产的完整链条，为技术的落地提供了坚实保障。Neumonda 首席执行官 Peter Poechmueller 满怀信心地表示：“我们的终极目标是重建德国的存储芯片产业，本次与 FMC 的合作无疑是迈出了关键一步 。通过整合双方的技术与资源，我们有决心、有能力在存储芯片领域为欧洲赢得新的市场地位 。”
此次 FMC 与 Neumonda 的合作，有望为欧洲存储芯片产业注入新的活力。亿配芯城与ICGOODFIND将持续关注这一合作项目的进展，为行业发展提供专业的元器件采购服务。
来源：Horry很忙
