摘要：三星的 V-NAND 技术取得了长足的进步，在短短十多年间从 24 层发展到近 300 层。 虽然该公司在进一步扩展方面面临着巨大挑战，但它仍然有信心在 NAND 芯片中安装至少 400 层闪存单元。 如果一切按计划进行，量产将于明年年底开始。

三星的 V-NAND 技术取得了长足的进步，在短短十多年间从 24 层发展到近 300 层。 虽然该公司在进一步扩展方面面临着巨大挑战，但它仍然有信心在 NAND 芯片中安装至少 400 层闪存单元。 如果一切按计划进行，量产将于明年年底开始。

三星的第九代280层V-NAND闪存最近才开始量产，首批商用产品预计将于明年上架。 不过，据《韩国经济日报》报道，该公司已经为其第 10 代 400 层 V-NAND 技术设定了雄心勃勃的目标。

近年来，该领域的竞争愈演愈烈，主要原因是人工智能应用的需求不断增长，同时消费者对更大容量、更实惠的闪存存储的需求也在不断增长。

三星目前占据 37% 的领先市场份额，但随着美光、长江存储、SK 海力士和 Kioxia 等竞争对手加速开发更高密度的 3D NAND，保持这一地位正面临越来越大的挑战。

SK Hynix 计划在 2025 年底开始生产 400 层 NAND，预计在 2026 年上半年全面投产。 这促使三星也瞄准了同样的时间表，因为其较小的韩国竞争对手在过去两年中获得了巨大的市场份额。

堆叠 400 层或更多层 NAND 并非易事，因为超过 300 层的堆叠已经给早期原型产品的可靠性带来了挑战。 为了解决这个问题，三星计划采用三层单元（TLC）架构和一种名为"垂直粘合 NAND"（BV NAND）的新技术，这种技术将存储单元和外围电路分离到不同的晶圆上，然后以垂直结构将它们粘合在一起。

与外围单元（CoP）NAND 设计相比，这种方法还有助于三星实现更高的制造良率。 该公司称，其密度可达 28Gb/mm²，即每个裸片 1Tb (128GB)，仅略低于第九代四级单元 (QLC) 架构的密度。 此外，每引脚 5.6Gb/s 的数据传输速率比以前设计的 3.2Gb/s 最大传输速率有了显著的性能提升。

理论上，未来三星固态硬盘的容量可达 16TB，连续读写速度接近 PCIe 5.0 x4 接口的极限。

三星将在即将于 2025 年 2 月举行的国际固态电路大会上更详细地介绍这一前景广阔的新型 V-NAND 架构。

来源：cnBeta一点号