摘要：国家知识产权局信息显示，北京卓芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种电路中的电迁移检查方法”的专利，公开号 CN 119067037 A，申请日期为2024年9月。

金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，北京卓芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种电路中的电迁移检查方法”的专利，公开号 CN 119067037 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种电路中的电迁移检查方法。本发明步骤：1、提前准备EM rule文件；2、在仿真中，将选定电路中每个节点的电流值进行存储以备后用；通过每个节点处的电流值，知道相邻两个节点间的金属导线的电流值；3、在仿真后，读取程序获取准备的EM rule文件，从文件中读取金属连线和通孔相关信息，包括最大、最小和平均电流密度信息，电流密度和温度、宽度的关系，以及每个通孔的最大电流，然后获取节点的电流值；计算每层金属连线的EM效应允许的最小宽度和通孔的最小个数；4、在LVS自带的版图识别文件中，添加识别信息，去抽取金属连线的长度、宽度和通孔个数。本发明在设计版图的过程中便能够同时进行EM检查，大大的节省设计风险和时间。

来源：金融界