摘要：然而，2025年一季度的一份市场报告，悄然改写了这个“铁打的排名”——在DRAM领域，三星首次被韩国“同门兄弟”SK海力士超越，丢掉了全球第一的宝座。

多年来，存储芯片行业的头把交椅始终被三星牢牢占据。

无论是手机里的运行内存（DRAM），还是电脑中的固态硬盘（NAND），三星的名字几乎成了行业标杆的代名词。

然而，2025年一季度的一份市场报告，悄然改写了这个“铁打的排名”——在DRAM领域，三星首次被韩国“同门兄弟”SK海力士超越，丢掉了全球第一的宝座。

存储芯片的“双雄争霸”

存储芯片主要分为两类：DRAM和NAND。前者负责设备运行时的临时数据存储（如手机内存），后者用于长期数据保存（如U盘、SSD）。

这两类芯片占据了整个存储市场95%以上的份额，而三星过去在这两个领域均以绝对优势领先。

尤其是DRAM市场，三星曾常年保持40%以上的份额，堪称“独孤求败”。但最新数据显示，2025年一季度，SK海力士以36%的DRAM市占率反超三星（34%），美光则以25%位列第三。更值得关注的是，业内预测这一排名可能在未来持续固化。

AI热潮催生“新贵”

这场逆袭的背后，绕不开一个关键词：AI。近年来，人工智能芯片的爆发式增长，带动了一种特殊DRAM芯片的需求——高带宽内存（HBM）。与传统内存相比，HBM具备更快的传输速度和更高的能效，尤其适合处理AI模型的海量数据运算。

而SK海力士早在数年前便押注HBM技术，并与英伟达等AI芯片巨头达成深度合作。如今，SK海力士独占全球HBM市场70%的份额，三星仅占20%，美光约10%。随着AI服务器、自动驾驶等领域对HBM的需求持续井喷，SK海力士凭借技术积累和产能优势，稳稳接住了这波“风口红利”。

三星的挑战与行业的启示

三星的暂时失利，暴露了其在技术风向判断上的滞后。

尽管三星仍是NAND芯片的全球第一，但DRAM市场的失守给其敲响了警钟。

存储芯片行业向来以技术迭代快、周期性波动大著称，一旦错失关键赛道，追赶难度极大。

例如，HBM需要将多层DRAM芯片垂直堆叠，并与处理器紧密封装，这对制造工艺和设计能力的要求远超传统内存。SK海力士的提前布局，让其在这一领域形成了近乎垄断的技术壁垒。

反观三星，尽管近期宣布加大HBM研发投入，但量产进度已落后对手1-2年。而AI浪潮的持续涌动，使得HBM的需求增速远超预期。

市场研究机构预测，2025年全球HBM市场规模可能突破150亿美元，且未来三年年均增长率超过50%。若三星无法快速缩小技术差距，其DRAM份额或将进一步被挤压。

行业格局的未来变数

这场“榜首易主”不仅关乎两家韩国企业的竞争，更折射出全球科技产业的新趋势：AI正从底层重塑硬件生态。

过去，存储芯片的比拼聚焦于成本和产能；如今，能否贴合AI需求的技术创新能力，成为更核心的竞争力。

对于三星而言，夺回DRAM第一的难度不小，但其在半导体制造、资金实力等方面的综合优势仍不可小觑。而SK海力士能否守住优势，还需看其后续技术迭代和产能扩张的节奏。此外，美光等企业也在加紧HBM研发，行业竞争或将更加激烈。

存储芯片行业的这场洗牌，给所有科技企业上了一课：在AI时代，技术预判和快速落地能力，比规模优势更重要。曾经的“霸主”也可能因一步慢步而步步慢，而抓住机遇的“挑战者”，或许正开启一个新的时代。

来源：肖宇科技天地