清华大学 | 块状 β-Ga₂O₃ 半导体单晶体的生长过程、缺陷和掺杂物

摘要：由清华大学的研究团队在学术期刊China Foundry发布了一篇名为Growth process, defects, and dopants of bulk β-Ga2O3 semiconductor single crystals（块状 β-Ga2O3 半

由清华大学的研究团队在学术期刊China Foundry发布了一篇名为Growth process, defects, and dopants of bulk β-Ga2O3 semiconductor single crystals（块状 β-Ga2O3 半导体单晶体的生长过程、缺陷和掺杂物）的文章。

摘要

作为第四代半导体的典型代表，β-氧化镓(β-Ga2O3)因其超宽带隙、优异的光学特性以及出色的耐高温和抗辐射能力，备受关注。与其他半导体单晶相比，β-Ga2O3单晶可以通过低成本的熔融法生长出高质量、大尺寸的单晶，展现出强大的竞争力。在本综述中，主要探讨了β-Ga2O3单晶的生长工艺、缺陷及掺杂剂。首先，对β-Ga2O3单晶的生长过程（如分解、坩埚腐蚀、螺旋生长及发展等）进行了详细的总结与比较。接着，重点讨论了β-Ga2O3单晶的缺陷及其对肖特基势垒二极管(SBD)器件的影响。此外，简要讨论了杂质和本征缺陷对β-Ga2O3电子及光学特性的影响。最后，文章总结了β-Ga2O3单晶的研究现状、面临的挑战和未来前景。