摘要：烘干是晶圆清洗后关键步骤，直接影响表面洁净度、缺陷率及后续工艺良率。以下是烘干工艺的详细分析：

烘干是晶圆清洗后关键步骤，直接影响表面洁净度、缺陷率及后续工艺良率。以下是烘干工艺的详细分析：

一、影响烘干工艺的关键因素

二、注意事项

1.设备维护

定期校准温度传感器、气流控制器，避免参数漂移。

检查气体过滤系统（HEPA/ULPA）效率，防止微粒污染。

2.工艺匹配性

根据晶圆尺寸（200mm/300mm）及结构（3D NAND、逻辑芯片）调整烘干参数。

先进节点（

3.材料兼容性

避免烘干气体与金属层（Cu、Al）发生氧化反应（如高温下H₂O残留导致腐蚀）。

4.环境控制

湿度需低于10% RH，防止再吸附水汽。

三、常见问题与疑难缺陷

四、烘干设备种类及优缺点

五、工艺优化方向

1.组合工艺：IPA蒸汽预干燥 + SCCO2深度干燥，平衡成本与效果。

2.原位监测：集成红外传感器或激光干涉仪，实时监控干燥终点。

3.材料创新：开发低表面张力环保溶剂（替代IPA），降低VOC排放。

4.设备智能化：AI算法预测烘干参数，动态调整气流与温度。

通过系统分析工艺参数、设备选型及缺陷机理，可显著提升烘干工艺的稳定性和晶圆良率。

信息来源：知识星球 芯汇联盟

项目进度及跟进

来源：喵酱的半导体