摘要：随着人工智能需求的激增，高带宽内存（HBM）已成为存储巨头的关键战场，美光为此专门成立了 HBM 业务部门。该公司在其新闻稿中表示，新的架构将于 2025 年 5 月 30 日开始的 2026 财年第四季度初到位，从该季度起将采用新的财务报告格式。

随着人工智能需求的激增，高带宽内存（HBM）已成为存储巨头的关键战场，美光为此专门成立了 HBM 业务部门。该公司在其新闻稿中表示，新的架构将于 2025 年 5 月 30 日开始的 2026 财年第四季度初到位，从该季度起将采用新的财务报告格式。

据美光公司称，新的组织架构将由四个部门组成，包括云内存业务部门（CMBU）、核心数据中心业务部门（CDBU）、移动与客户端业务部门（MCBU）以及汽车与嵌入式业务部门（AEBU）。

据韩国媒体 etnews 报道，新成立的 CMBU 将特别专注于为超大规模云服务提供商提供内存解决方案，并负责美光的 HBM 业务。该报道指出，此举被视为一项战略举措，旨在为微软和亚马逊网络服务（AWS）等关键客户提供定制化内存。

与此同时，etnews 的报道指出，由于超大规模客户和原始设备制造商（OEM）有着不同的需求，因此 CDBU 将负责戴尔、慧与和技嘉等 OEM 服务器客户。

这一举措似乎合情合理，因为美光急于缩小与 HBM 领导者 SK 海力士之间的差距。正如《Sisa Journal》此前的一份报告所指出的那样，美光的 12 层 HBM3E 已开始交付，为英伟达的 B300 提供动力。

值得注意的是，据 The Elec 报道，作为主要热压（TC）键合机供应商的韩美半导体，将向美光交付约 50 台热压 TC 键合机——远超 2024 年交付的几十台。

据 TechNews 报道，美光在其人工智能内存产品组合中显示，其下一代 HBM4 预计将于 2026 年实现量产，随后的 HBM4E 将在 2027 至 2028 年期间投入生产。

下一代HBM，美光要弯道超车

美光公司正在考虑推出下一代 HBM（高带宽内存）键合技术“Fluxless”。其主要竞争对手三星电子自今年第一季度以来也一直在评估这项技术。由于需要与国内外主要粘合厂商进行综合评估，预计粘合厂商之间将会展开激烈的竞争。

据业内人士16日透露，美光公司将从今年第二季度开始与各大后处理设备公司合作，对无助焊剂设备进行质量测试。

目前，美光公司正在采用NCF（非导电粘合膜）工艺来制造HBM。该方法涉及将一种称为 NCF 的材料插入每个 DRAM 堆栈，然后使用 TC 粘合机通过热压缩将它们连接起来。其原理是NCF受热熔化，连接DRAM之间的凸块，固定整个芯片。

不过，美光公司计划于明年开始量产的 HBM4（第 6 代）采用无助焊剂键合技术的可能性越来越大。据了解，无助焊剂键合机将于今年第二季度或第三季度左右推出，并开始质量测试。

预计世界各地的主要粘合公司都将参加此次测试。据报道，韩国韩美半导体、总部位于美国和新加坡的Kulicke & Sofa（K&S）、总部位于新加坡的ASMPT等公司均已采取行动。

半导体业内人士表示，“美光公司是一家尽可能考虑供应链多元化的公司，该款无助焊剂键合机也将由各合作公司依次进行测试。”他补充道：“我理解存在替代需求，因为 NCF 技术在 HBM4 中遇到了一些技术限制。”

另一位官员表示，“如果HBM堆栈数量增加到12个，就会出现一些问题，例如无法将NCF完美地应用到DRAM之间的狭窄间隙中，或者NCF材料在压缩过程中突出到DRAM的边缘”，并补充道，“这就是为什么无焊剂技术成为HBM4和HBM4E中强有力的替代方案的原因。”

目前，无焊剂技术是MR-MUF（大规模回流成型底部填充）技术中最先进的技术。

MR-MUF 是指将各个 DRAM 暂时粘合，然后在堆叠所有 DRAM 的状态下施加热量（回流）以将它们完全粘合的方法。随后，使用液态而非薄膜形式的 “EMC（混合环氧聚合物和无机二氧化硅的成型材料）”填充 DRAM 之间的空间。

现有的MR-MUF在粘合每个DRAM时使用了一种叫做助焊剂的物质，然后经过清洗过程。这是为了去除 DRAM 之间的凸块上可能形成的任何氧化膜。

然而，HBM 输入/输出端子（I/O）的数量从 HBM4 增加到 2024，是上一代的两倍，并且随着 DRAM 堆栈数量的增加，凸块之间的间距也会减小。在这种情况下，助焊剂可能无法得到正确清洁，从而可能损害芯片的可靠性。

因此，半导体行业一直在开发无助焊剂键合机，无需使用助焊剂即可去除凸块上的氧化膜。根据设备制造商的不同，会采用等离子体和甲酸等各种方法。

三星电子也在第一季度开始与海外主要设备公司合作测试无助焊剂键合。与美光一样，目标是实现HBM4，预计最早在今年年底完成评估。不过据悉，三星电子正在审查各种解决方案，包括现有的NCF和下一代键合技术“混合键合”。

https://zdnet.co.kr/view/?no=20250416103227

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4100期内容，欢迎关注。

『半导体第一垂直媒体』

来源：半导体行业观察一点号