摘要：国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN119866046A，申请日期为2025年1月。

金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN119866046A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体的技术领域，具体提供一种屏蔽栅功率半导体器件的制备方法及屏蔽栅功率半导体器件，旨在解决现有屏蔽栅功率半导体器件的制备方法中屏蔽栅顶部的平坦度不足的问题。为此目的，本公开提供的屏蔽栅功率半导体器件的制备方法，在形成屏蔽栅的过程中，通过在其中间结构——屏蔽栅材料结构的顶部侧壁形成保护层，后续在对屏蔽栅材料结构进行刻蚀的过程中，在保护层的阻挡和保护作用下，能够有效去除现有屏蔽栅中常见的V型Recess，从而使屏蔽栅顶部具有较为平坦的表面，从而有利于确保后续形成的隔离层以及控制栅具有理想的形貌，确保屏蔽栅功率半导体器件具有良好的性能。

天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1200000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1007次，专利信息151条，此外企业还拥有行政许可113个。

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