摘要：国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“沉积硅基介电膜的方法”的专利，公开号CN119895076A，申请日期为2023年7月。

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“沉积硅基介电膜的方法”的专利，公开号CN119895076A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，提供了一种在3D NAND结构内形成高纵横比结构的方法。所述方法包括将前驱物递送到设置在具有两个或更多个交替层的多层堆叠内的高纵横比开口。所述前驱物选自由以下项组成的组：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上项的组合。所述方法包括将含氧化合物递送到所述高纵横比开口。所述前驱物和所述含氧化合物循环地交替来填充所述高纵横比开口。

本文源自金融界

来源：湖北台科技快报