摘要：客观来说，单凭光刻掩模版几个字是无法讨论和判断技术难度的。掩模版并不仅仅是用在半导体领域，印刷电路版、显示面板、硬盘、乃至其它各种微图形加工的领域里，我们都有机会用到掩模版

半导体工程师 2025年05月05日 09:03 北京

最近有不少朋友和我打听几家上市掩模版制造商的情况。我没有什么特别消息，所以只能做些简单的科普性回答

网上做光刻机科普的文章一大堆，光刻胶的介绍相对较少，而掩模版相关的资料就更少了

在这里，我根据我一点有限的知识，也给大家简单讲解一下：

客观来说，单凭光刻掩模版几个字是无法讨论和判断技术难度的。掩模版并不仅仅是用在半导体领域，印刷电路版、显示面板、硬盘、乃至其它各种微图形加工的领域里，我们都有机会用到掩模版

像PCB用的菲林基板的掩模版的技术难度不高，并不在我今天讨论的范围里。我今天主要讲讲半导体用的掩模版

最早的掩模版单纯通过透光和不透光两种情况来实现光刻的图形，所以被称为双极型掩模（binary mask）。从365~193 nm的光刻工艺中，它是被最为广泛应用的一种技术。后来，为了降低掩模三维效应，有人发明了透明的MoSi掩模（opaque MoSi on glass, OMOG）技术。在32nm以下的工艺里，它被广泛应用。不过OMOG本质上也属于双极型掩模

随着图形线宽的越来越小，相邻透光区难以避免因为光学衍射导致的亮度叠加。所以人们又发明了移相光掩模（Phaseshift Mask）。就是在一个透光区的相邻透光区上增加一层涂敷层，能给通过的光线提供额外180 °相位补偿。这样一来临近的衍射光就会相互抵消而提升分辨率（参考下图）

注）图片来源于网络

而到了EUV光刻机时代，由于EUV光线无法穿透几乎所有物体，所以EUV掩模版采用了反射镜模式。这又是一个技术难度极高的独立产品类型

关于光刻掩模版的分类，以下信息来自Deepseek（还应该加一个EUV用反射掩模版），大家可以参考一下：

按掩模版结构分类

二元掩模版（Binary Mask）
最简单的掩模版，由透明（石英）和不透明（铬或钼）区域组成，仅通过透光/遮光传递图案。适用于传统光刻（如i-line、KrF、ArF）。

相移掩模版（Phase-Shift Mask, PSM）
通过相位调制增强光刻分辨率，分为：

交替相移掩模（Alt-PSM）：通过交替相位反转提升对比度，用于高分辨率层（如栅极）。

衰减相移掩模（Att-PSM）：部分透光区域引入相位偏移，减少光强干扰。

光学邻近校正掩模版（OPC Mask）
通过添加辅助图形（Sub-Resolution Assist Features, SRAFs）或修正图案边缘，补偿光刻中的光学畸变和邻近效应，适用于先进节点（如7nm以下）。

为了方便大家了解这个行业，我特意整理了光刻掩模版产业链的供应商及产品数据。除了掩模版本身，空白掩模版、石英衬底、保护膜（Pellicles）还有相关载具的供应商信息也一并列出了。希望对大家有帮助 -- 目前网络上这部分的统计信息非常少。建议有需要的朋友收藏

详细数据的原始文档，我放到了知识星球的云盘上供会员使用。如果您对此类数据有兴趣，欢迎扫码加入我的知识星球后获取（文章最后有知识星球数据内容的简单介绍）

来源于半导体综研，作者关牮 JamesG

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