摘要：据thehindubusinessline网5月4日报道，印度科学研究院（IISc）纳米科学与工程中心（CeNSE）的研究人员成功开发出印度首个完全自主研发的硅基氮化镓（GaN）微波功率晶体管。这些晶体管对雷达、电子战和电信基础设施等战略应用至关重要，能够放大

据thehindubusinessline网5月4日报道，印度科学研究院（IISc）纳米科学与工程中心（CeNSE）的研究人员成功开发出印度首个完全自主研发的硅基氮化镓（GaN）微波功率晶体管。这些晶体管对雷达、电子战和电信基础设施等战略应用至关重要，能够放大无线电波。与依赖进口且成本高昂的碳化硅（SiC）平台相比，硅基氮化镓方法更具经济优势和可扩展性。

CeNSE团队通过在IISc内部完成材料生长、设计、制造和测试，克服了技术挑战。他们实现了10 GHz频率下8W的输出功率，并通过调整材料的“极化”特性，消除了对碳或铁杂质的需求，这些杂质通常用于实现高压操作。整个制造工艺均为本土开发。

这一成果标志着印度在先进半导体技术自力更生方面取得了重要进展，是印度首次在不添加碳或铁的情况下成功演示硅基氮化镓微波晶体管。

（编译：胡伟）

来源：邮电设计技术