摘要：2025年5月13日，DRAM市场迎来新一轮涨价潮，部分型号价格单月涨幅高达50%，引发行业震动。据产业链消息，三星、SK海力士等存储巨头近期上调DDR4价格20%，DDR5价格亦上涨5%，主要受AI算力需求爆发及原厂产能调整影响。

2025年5月13日，DRAM市场迎来新一轮涨价潮，部分型号价格单月涨幅高达50%，引发行业震动。据产业链消息，三星、SK海力士等存储巨头近期上调DDR4价格20%，DDR5价格亦上涨5%，主要受AI算力需求爆发及原厂产能调整影响。

1. 价格飙升：DDR4领涨，现货市场反应剧烈

- DDR4价格暴涨：深圳某存储模组厂高管透露，部分DDR4型号一个月内涨幅近50%，现货市场DDR4 8Gb产品4月上涨22.22%。

- DDR5跟涨：三星5月初调涨DDR5价格5%，SK海力士消费级DRAM颗粒亦上涨10%+。

- NAND同步回暖：128Gb MLC NAND闪存4月涨11.06%，TrendForce预测Q3 NAND闪存价格或再涨10%-15%。

2. 核心驱动：AI算力需求挤压DRAM产能

- HBM供不应求：AI服务器GPU（如英伟达B200/H200）依赖高带宽内存（HBM），SK海力士HBM产能已售罄，2025年HBM营收占比将超50%。

- 原厂产能倾斜：三星、美光等将DDR4产能转向HBM和DDR5，导致DDR4库存锐减，下游紧急备货推高价格。

- AI终端需求增长：AI PC、AI手机渗透率提升，预计2025年AI PC出货量激增165.5%至1.14亿台，进一步加剧DRAM紧缺。

3. 行业分化：原厂暴利 vs. 模组厂承压

- 原厂利润飙升：SK海力士Q1营业利润率达42%，美光HBM营收超10亿美元；三星DS部门营业利润1.1万亿韩元。

- 模组厂亏损加剧：佰维存储Q1净亏1.97亿元，江波龙亏1.52亿元，因颗粒采购成本涨幅未能传导至终端。

4. 后市展望：涨价持续，国产存储迎机遇

- Q3价格看涨：TrendForce预计DRAM合约价Q3续涨，但需警惕终端需求疲软风险。

- 国产替代加速：长鑫存储DDR5量产，2024年国产DRAM全球占比升至12%，国际大厂退出利基市场带来替代空间。

- 技术壁垒仍存：国产HBM、先进制程DRAM与国际巨头差距显著，供应链自主可控成关键挑战。

结语

本轮DRAM涨价潮由AI算力需求与原厂战略调整共同驱动，短期内供应紧张难缓解。投资者需关注原厂产能分配及国产替代进展，同时警惕模组环节成本压力。

综合财联社、界面新闻、第一财经、科创板日报等

来源：广景新闻