摘要：金融界 2025 年 5 月 14 日消息，国家知识产权局信息显示，ICT 半导体集成电路测试有限公司申请一项名为“影响带电粒子束的方法，多极装置，以及带电粒子束设备”的专利，公开号 CN119993811A，申请日期为 2022 年 2 月。

金融界 2025 年 5 月 14 日消息，国家知识产权局信息显示，ICT 半导体集成电路测试有限公司申请一项名为“影响带电粒子束的方法，多极装置，以及带电粒子束设备”的专利，公开号 CN119993811A，申请日期为 2022 年 2 月。

专利摘要显示，描述了一种用于影响沿着光轴(A)传播的带电粒子束(11)的方法。所述方法包括：引导带电粒子束(11)穿过多极装置(100、200)的至少一个开口(102)，多极装置包括布置在同一剖面中的具有四个或更多个第一电极(111、211)的第一多极(110、210)和具有四个或更多个第二电极(121、221)的第二多极(120、220)，第一电极和第二电极围绕至少一个开口(102)交替地布置；以及以下步骤中的至少一者：激发第一多极以提供用于以第一方式影响带电粒子束的第一场分布，以及激发第二多极以提供用于以第二方式影响带电粒子束的第二场分布。此外，提供了具有设置在同一基板上的第一多极(110、210)与第二多极(120、220)的多极装置(100、200)，以及具有多极装置(100、200)的带电粒子束设备(500)。

来源：金融界