摘要：韩国媒体报道表示，三星半导体研究所完成突破性400层堆栈NAND Flash闪存开发。11月开始将技术转移到平泽园区一号工厂产线。重要的里程碑使三星处于NAND Flash领先位置，超过开始量产321层堆栈NAND Flash的SK海力士。

韩国媒体报道表示，三星半导体研究所完成突破性400层堆栈NAND Flash闪存开发。11月开始将技术转移到平泽园区一号工厂产线。重要的里程碑使三星处于NAND Flash领先位置，超过开始量产321层堆栈NAND Flash的SK海力士。

BusinessKorea报道，三星计划2025年2月美国2025年国际固态电路会议 (ISSCC) 发布，并详细介绍1Tb容量400层堆栈TLC NAND Flash，2025下半年量产。但专家预测，如果加速进程，量产阶段可能第二季末就开始。

除了400层NAND Flash，三星2025年增加先进内存产线，平泽园区安装第九代（286层堆栈）NAND Flash产线，月产能30,000-40,000片芯片。中国西安厂也将128层堆栈（V6）转为236层堆栈（V8）制程。

三星400层堆栈NAND Flash代表技术重大进步，2013年3D NAND Flash问世提升容量与读取速率后，400层堆栈TLC NAND Flash显示三星有显著进步。目前全球NAND Flash市场占有率三星领先为36.9%，但SK海力士2023年量产238层堆栈NAND Flash，最近又宣布量产321层堆栈，给三星很大压力。

NAND Flash市场近期受多因素影响，消费者需求、定价趋势及人工智能（AI）和数据中心等数据密集型应用兴起，数据中心NAND Flash销售量不断增加，市场需求逐渐加温。然11月128Gb MLC产品交易价格下降29.8%，均价为2.16美元。市调机构TrendForce分析，虽然2024年第四季NAND Flash价格下跌3%-8%，但企业级固态硬盘 (SSD) 仍上涨5%。

三星准备量产400层堆栈TLC NAND Flash同时，也专注优化芯片良率。NAND Flash研发阶段良率为10%-20%，转移至产线后，良率持续提升对更高产量和满足市场需求为关键。

来源：十轮网一点号