摘要：国家知识产权局信息显示，江西杰创半导体有限公司、杰创半导体（苏州）有限公司申请一项名为“种VCSEL芯片及其制作方法”的专利，公开号 CN 119093154 A，申请日期为2024年8月。

金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，江西杰创半导体有限公司、杰创半导体（苏州）有限公司申请一项名为“种VCSEL芯片及其制作方法”的专利，公开号 CN 119093154 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体芯片制备技术领域，具体涉及一种VCSEL芯片及其制作方法，VCSEL芯片包括衬底、外延层、氧化层、钝化膜以及P型电极；制作时在外延层上形成沟槽及mesa平台，并在沟槽内制作扩散阻挡层，防止后续原子扩散经过有源区及氧化层，之后采用化学气相沉积经由沟槽从侧面进行水平方向的原子扩散，使沟槽内、外围区域的P型DBR顶部形成扩散区，失去反射能力。本发明通过侧面扩散形成的扩散区前沿是圆柱面，扩散深度比较容易控制；并且通过侧面原子扩散，扩散区前沿和出光孔垂直方向非破坏P型DBR接触面积增加很多，有利于VCSEL芯片在较大输出功率的情况下仍为单横模工作，有利于增加气体探测范围或增加信号的灵敏度。

来源：金融界