摘要：目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。

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目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。

报道称，三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于明年下半年开始。

除了400层NAND，三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。计划在平泽园区安装新的第9代（286层）生产设施，每月产能为3万-4万片晶圆。此外，三星西安工厂将继续将128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）产品工艺。

来源：小岳科技观