摘要：铠侠宣布，已开发出OCTRAM（使用氧化物半导体的DRAM）技术，这是一种新型4F2 DRAM，由同时具有高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术由铠侠与南亚科技（Nanya）联合开发，采用了全栅InGaZnO（铟镓锌氧化物）垂直晶体管，通过集成

铠侠宣布，已开发出OCTRAM（使用氧化物半导体的DRAM）技术，这是一种新型4F2 DRAM，由同时具有高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术由铠侠与南亚科技（Nanya）联合开发，采用了全栅InGaZnO（铟镓锌氧化物）垂直晶体管，通过集成度氧化物以及器件和工艺优化，可将漏电流降低到“极低”水平。

OCTRAM技术重点是降低功耗，适用于SCM应用的大容量MRAM，以及高密度和高性能的新型3D NAND闪存结构。新技术还有望广泛应用于各种需要降低功耗的应用，包括人工智能（AI）、5G通信系统和物联网产品。

4F2术语指的是DRAM存储单元，其中单元面积是特征尺寸 (F) 的四倍。根据铠侠之前在IEDM 2024上的介绍，这种晶体管设计实现了“Ion=15uA/单元 (Vg=2V) 和 Ioff=1aA/单元 (Vg=-1V)，275Mbit OCTRAM 阵列采用WL 54nm/BL 63nm间距制造，并在设计的电压范围内成功运行”。

在OCTRAM结构中，InGaZnO垂直晶体管作为单元晶体管，集成在高纵横比电容器的顶部（电容器优先工艺），这种设计允许高级电容器工艺与InGaZnO性能之间的相互作用得以去耦合。与传统的6F2 DRAM相比，4F2 DRAM在存储密度方面具有显着优势。

来源：小张er日记