摘要：受中东人工智能投资和全球关税担忧的推动，DRAM 价格飙升，HBM 需求旺盛，预计将提振三星电子和 SK 海力士的盈利。主要客户正争相在美国可能加征关税之前囤积 DRAM，而美国芯片制造商英伟达与沙特阿拉伯达成的大规模人工智能芯片交易，也为韩国领先的内存芯片制

受中东人工智能投资和全球关税担忧的推动，DRAM 价格飙升，HBM 需求旺盛，预计将提振三星电子和 SK 海力士的盈利。主要客户正争相在美国可能加征关税之前囤积 DRAM，而美国芯片制造商英伟达与沙特阿拉伯达成的大规模人工智能芯片交易，也为韩国领先的内存芯片制造商带来了新的发展动力。

据业内人士5月19日透露，三星电子本月初将传统DDR4和新型DDR5 DRAM的价格均上调了两位数百分比。SK海力士也将消费级DRAM价格上调了约12%。在美国芯片制造商美光公司上个月通知客户计划涨价后，整体涨势获得了动力。

DRAM 的平均销售价格 (ASP) 在经历了五个月的低迷之后，于 4 月份开始攀升。据市场研究公司 DRAMeXchange 的数据，标准 PC DRAM (DDR4 8Gb 1Gx8) 的固定合同价格环比上涨 22.2%，达到 1.65 美元。

分析师将近期价格飙升归因于主要客户在美国关税即将生效前囤货。美国企业正在谨慎采购以避免关税影响，而中国的“以旧换新”补贴计划正在提振国内个人电脑和智能手机制造商的需求。长期供过于求的旧款DRAM芯片，目前的价格涨幅超过了新款DDR5产品。

三星电子内存部门执行副总裁金在俊（Kim Jae-june）在4月30日举行的公司第一季度财报电话会议上表示：“由于全球关税担忧加剧，客户加快了成品预产，导致零部件库存消耗速度快于预期。”对于业绩与DRAM定价密切相关的三星而言，这一趋势为第二季度的反弹提供了潜在的跳板。

尽管半导体市场充满不确定性，但高价值内存产品预计将会上涨。随着 DRAM 价格普遍上涨，高带宽内存 (HBM) 的价格也在飙升。英伟达近期与沙特阿拉伯达成的协议，进一步激发了人们对第二波 AI 内存热潮的预期。

5月13日，英伟达宣布与沙特阿拉伯公共投资基金（PIF）支持的人工智能初创公司Humain签署协议，将建设一个500兆瓦的人工智能数据中心。未来五年，英伟达将提供约18,000个配备其最新Blackwell Ultra芯片的GB300 GPU。

业内消息人士称，Nvidia 购买 SK Hynix 12 层 HBM3E 芯片的价格比 8 层芯片高出 60% 以上，这反映出该公司迫切希望在今年上半年 Blackwell Ultra 加速上市之前确保供应。

SK海力士为英伟达提供八层和十二层HBM3E，预计其第二季度盈利将创下纪录。“SK海力士今年的HBM总出货量预计将达到137亿千兆位，其中英伟达占比超过70%，”韩华投资证券分析师金光镇表示。“该公司在HBM市场的主导地位很可能将持续到明年。”

5大原厂同步减产，NAND将反弹

全球五大NAND Flash原厂同步实施减产，加上美中之间的新关税政策，带动买卖双方在90天宽限期内加速交易与出货，致使2025年第二季记忆体价格，出现优于预期的反弹走势。

五大NAND原厂同步减产，供给面收缩，助攻记忆体市场行情，根据调查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、铠侠与西部数据，皆在2025年上半年启动减产计划，幅度在10％～15％，以调节供过于求的市场结构。

此轮原厂同步减产，对记忆体价格止跌回升形成支撑，加上中美贸易政策变数升高，促使业者加快在政策宽限期内完成交易，激励市场短期备货潮涌现。

且在备货潮驱动下，第二季的DRAM与NAND Flash合约价格涨幅，明显超出先前预期。

根据TrendForce最新报告显示，记忆体价格第一季呈现下跌，第二季已出现回升，2025年上半年记忆体价格，将呈现「先跌后涨」的走势。

在DRAM合约价部分，第一季传统DRAM价格下跌8％～13％，高频宽记忆体（HBM）则仅小幅回落0％～5％。

第二季传统DRAM预估反弹3～8％，HBM则受惠于AI与HPC应用需求，同步上涨3％～8％。

NAND Flash合约价部分，第一季价格跌幅达15％～20％，为主要产品中最大跌幅。

第二季预估回升3～8％，显示市场逐渐恢复供需平衡。

来源：智慧芯片一点号