摘要：SK海力士宣布开发出了基于321层4D NAND闪存的UFS 4.1存储解决方案。这些超高密度的NAND芯片比上一代薄15%，将为UFS 4.1集成电路提供支持，预计会提供512GB和1TB的容量，将在今年内应用于PC固态硬盘，并将于2026年第一季度应用于智

SK海力士宣布开发出了基于321层4D NAND闪存的UFS 4.1存储解决方案。这些超高密度的NAND芯片比上一代薄15%，将为UFS 4.1集成电路提供支持，预计会提供512GB和1TB的容量，将在今年内应用于PC固态硬盘，并将于2026年第一季度应用于智能手机。

UFS（通用闪存存储）是一种主要针对智能手机的存储解决方案，但也广泛应用于平板电脑、数字成像设备、汽车、可穿戴设备和虚拟现实设备中。与eMMC等传统存储标准相比，UFS具有更高的带宽和性能，因此受到高端和旗舰设备的青睐。

不过，SK海力士声称即将推出的UFS 4.1集成电路在性能上有所提升。它们保持了“第四代UFS的最快顺序读取速度”，同时通过提高随机读取和写入速度，实现了“同类最佳的性能”。随机读取速度提升了15%，而随机写入速度提升了40%，这对于多任务处理的流畅性至关重要。

在效率方面，SK海力士表示，与上一代UFS 4.1芯片相比，新型芯片的功耗效率提高了7%。上一代芯片被用于像最新的华硕ROG Phone这样的设备中。

SK海力士在Computex上展示的目前的UFS 4.1解决方案（使用238层4D NAND闪存）（图片来源：tomshardware）

转向321层4D NAND闪存还将意味着SK海力士的UFS 4.1 NAND将变得更薄，这正是移动设备制造商所欢迎的。具体来说，新型集成电路的厚度将为0.85毫米，而使用238层4D NAND闪存的UFS 4.1 NAND的厚度为1.00毫米。

SK海力士在2024年11月开始大规模生产世界上首款321层NAND闪存，直到现在，才开发出使用这些集成电路的UFS 4.1解决方案。与此同时，像三星这样的竞争对手正在紧追不舍，他们正在研发400层NAND技术。其他竞争对手如美光、铠侠和长江存储则被认为落后得更远。

以下是两种UFS 4.1解决方案的对比：

此外，SK海力士声称，最新的UFS 4.1解决方案经过了“设备端人工智能优化”，进一步巩固了其作为“全栈人工智能存储提供商”的地位。这种新型NAND将“确保设备端人工智能的稳定运行”，并为使用它的产品提供“人工智能技术优势”。

SK海力士的新型321层4D NAND闪存不会仅限于移动设备。该公司总裁兼首席开发官Ahn Hyun表示，基于321层4D NAND的固态硬盘将在今年内推出，面向消费者和数据中心市场。他指出：“我们正按计划通过构建具有人工智能技术优势的产品组合，在NAND领域扩大我们作为全栈人工智能存储提供商的地位。”预计这些固态硬盘将出现在SK海力士的自有品牌下，同时也将被集成到像ADATA、金士顿和Solidigm等公司的产品中。

来源：CHIP奇谱