摘要：·集成硅光子I/O器件：硅光子V/O能够提供比现有电气I/O更宽的带宽和能效表现，有助于实现大规模的数据交换，是目前先进工艺的重要发展方向。但硅光子V/O器件的大规模制造将是一个挑战，预计英伟达需要每月生产超过100万个这类器件才能满足需求。

英伟达展望未来AI加速器。

根据分析师lan Cutress的X平台动态，英伟达认为未来的AI加速器将位于大面积先进封装基板之上，并可能采用以下技术：

·垂直供电：为加速器提供稳定的电力支持。

·集成硅光子I/O器件：硅光子V/O能够提供比现有电气I/O更宽的带宽和能效表现，有助于实现大规模的数据交换，是目前先进工艺的重要发展方向。但硅光子V/O器件的大规模制造将是一个挑战，预计英伟达需要每月生产超过100万个这类器件才能满足需求。

·GPU采用多模块设计：每个AI加速器复合体包含4个GPU模块。

·3D垂直堆叠DRAM内存：相较于目前的2.5D HBM方案拥有更低信号传输距离，有助于增加引脚数量和提升每引脚速率。不过这也带来了更高的热量产生，需要新的热管理解决方案，在模块内直接整合冷板以提高解热能力。

lan Cutress指出，这一设想中的AI加速器复合体要等到2028至2030年乃至更晚才会成为现实。原因在于英伟达AI GPU订单庞大，对硅光子器件产能需求很大。另一方面垂直芯片堆叠所带来的热效应需要以更先进的材料来解决，届时可能会出现芯片内冷却方案。

总体而言这一设想反映了英伟达对于未来高性能计算和人工智能领域发展的愿景，并展示了他们在这个领域中取得突破的努力。这些技术的应用有望提升AI加速器的性能，为深度学习、大规模数据处理等应用提供更强大的支持。但要实现这些技术还需要克服诸多挑战，如硅光子器件的产能提升、热管理问题的解决等。

来源：激情总在~~~午夜后一点号