摘要：SK 海力士在第一季度超越三星电子，首次登上全球 DRAM 市场的榜首。SK 海力士凭借其高带宽内存（HBM）优势登上存储半导体行业的王座，标志着市场领导地位的重大转变。

SK 海力士在第一季度超越三星电子，首次登上全球 DRAM 市场的榜首。SK 海力士凭借其高带宽内存（HBM）优势登上存储半导体行业的王座，标志着市场领导地位的重大转变。

根据多家市场研究公司关于 2023 年第一季度 DRAM 市场的报告，SK 海力士已超越三星电子，占据了首位。

集邦科技（TrendForce）6 月 3 日发布的分析显示，SK 海力士在第一季度的 DRAM 市场中录得 97.2 亿美元的销售额（市场份额 36%），首次在单季度基础上登顶。三星电子以 33.7% 的市场份额排名第二，美光（Micron）以 24.3% 的份额位居第三。SK 海力士的市场份额从 2022 年第四季度的 36.6% 小幅下降至 36%，但三星电子的份额从 39.3% 大幅下降至 33.7%，使得 SK 海力士得以超越。

早在 4 月，市场研究公司 Counterpoint Research 也曾报告称，SK 海力士在 2023 年第一季度以 36% 的份额引领全球 DRAM 市场，而三星电子的份额为 34%。

就在 2022 年第一季度时，两家公司的市场份额差距还超过 10 个百分点，三星电子为 43.9%，SK 海力士为 31.1%。然而，到 2022 年第四季度，差距迅速缩小，三星电子为 39.3%，SK 海力士为 36.6%，进而导致了今年的逆转。

集邦科技将这一结果归因于 SK 海力士高价值产品（如 HBM3E）的出货比例增加，而三星电子由于无法直接向中国销售 HBM，其 HBM3E 的出货量有所下降。SK 海力士目前实际上是向英伟达供应第五代 HBM（HBM3E）的独家供应商。他们上个月还提前提供了其下一代 HBM4（第六代）12 层产品的样品。相比之下，三星电子在为英伟达提供 HBM3E 产品认证方面已延迟逾一年，难以获得领先地位。

三星电子已采取特别措施以重获 HBM 领域的竞争力。他们正在实施精选和集中策略，减少 HBM2E 等旧款 HBM 的生产，增加最新产品的产量。特别是，他们计划专注于第六代 HBM（HBM4）。据报道，三星电子正在为 HBM4 应用重新设计其 10 纳米级的第六代（1c）DRAM，与现有设计相比，增大了芯片尺寸，并提高了良率和稳定性。

在 4 月的第一季度收益公告中，三星电子表示：“我们已向主要客户完成了改进版 HBM3E 产品的样品供应，预计从第二季度开始，销售贡献将逐步增加。” 他们还补充道：“HBM 销售量预计在第一季度触底，随着改进版 HBM3E 产品销售的扩大，每个季度将逐步回升。” 关于 HBM4，他们表示：“开发正按计划推进，目标是在下半年实现量产，与客户项目进度保持一致。”

与此同时，全球 DRAM 市场第一季度的总销售额环比下降 5.5%，至 270.1 亿美元。这归因于 DRAM 合约价格的下跌以及 HBM 出货量的减少。不过，集邦科技预测 DRAM 市场将在第二季度重拾 momentum（发展势头）。

集邦科技预测：“在第二季度，个人电脑和智能手机制造商将完成库存调整，并根据美国 90 天的相互关税宽限期增加生产，这将导致 DRAM 供应商的出货量显著增加。”

来源：EETOP半导体社区