摘要：国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN 119110593 A，申请日期为2023年6月。

金融界2024年12月13日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN 119110593 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，该半导体器件包括堆叠结构和沟道结构，堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，沟道结构沿堆叠结构的堆叠方向贯穿堆叠结构。沟道结构包括沟道层和围绕所述沟道层的存储层，存储层位于所述栅极层和所述沟道层之间。其中，存储层包括铁电层，沟道层包括金属氧化物半导体。由于金属氧化物半导体不会与铁电层之间产生界面层，因此可以有效减少沟道层和铁电层之间氧化层的形成，降低氧化层击穿的风险，进而增加器件可靠性，实现了金属氧化物半导体沟道于 3DNAND 结构的应用。

来源：金融界