摘要：据semiconductor-today网6月23日报道， 日本冲电气工业株式会社（OKI）与NTT Innovative Devices Corp近日宣布，通过异质材料键合技术成功攻克高功率太赫兹器件量产难题。

据semiconductor-today网6月23日报道， 日本冲电气工业株式会社（OKI）与NTT Innovative Devices Corp近日宣布，通过异质材料键合技术成功攻克高功率太赫兹器件量产难题。

该技术采用OKI独有的晶体薄膜键合（CFB）工艺，将磷化铟（InP）制成的单向载流子光电二极管（UTC-PD）与碳化硅（SiC）基底结合，键合良率从传统工艺的50%提升至近100%。UTC-PD因仅依赖电子传输，兼具高散热性和宽线性输出，为6G通信及无损检测提供了关键技术支撑。

太赫兹波兼具穿透性与安全性，有望应用于6G高频通信和无损检测领域。然而，其在大气中衰减严重的特性要求设备具备更高功率。NTT联合多所大学优化UTC-PD散热设计，使器件在1dB压缩下输出功率突破1mW，性能较传统方案提升十倍。OKI的CFB技术则通过选择性键合器件有效区域，将材料利用率提升90%，显著降低成本。

两家公司计划于2026财年启动量产，并推动6G商业化及传感技术落地。

该成果将于2025年6月在德国激光世界光电子博览会展出，标志着太赫兹技术迈向实际应用的关键一步。

（编译：天容）

来源：邮电设计技术