摘要：半导体发展呈现“材料-架构-工艺”协同创新：高频材料支撑高频信号传输，HBM突破存储墙，增层膜和HDI技术推动高密度集成，共同服务于AI/5G/高性能计算场景。未来竞争将聚焦于供应链本土化（如中国ABF突破）和异质集成可靠性（如热-力-电多物理场仿真）。
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半导体发展呈现“材料-架构-工艺”协同创新：高频材料支撑高频信号传输，HBM突破存储墙，增层膜和HDI技术推动高密度集成，共同服务于AI/5G/高性能计算场景。未来竞争将聚焦于供应链本土化（如中国ABF突破）和异质集成可靠性（如热-力-电多物理场仿真）。
以下是半导体技术发展方向的介绍：
发展趋势：
5G/6G与数据中心驱动需求：高频材料（如PTFE、液晶聚合物LCP、改性聚酰亚胺）在毫米波通信、高速SerDes接口（112G/224Gbps）中需求激增，用于天线、PCB基板和封装基板。低介电常数（Dk）与低损耗（Df）材料：新型复合材料（如Rogers的碳氢化合物、松下的MEGTRON）通过纳米填充技术降低信号损耗，满足高频场景（如AI芯片互连）。集成化解决方案：材料厂商（如杜邦、日立化成）开发兼具低Dk/Df和高导热性的材料，解决高频下的散热问题。挑战：成本高（如LCP比传统PI贵3-5倍）、工艺兼容性（与现有PCB制程的匹配）。
发展趋势：
堆叠层数提升：从HBM2e（4-8层）到HBM3（12层以上），TSV（硅通孔）密度增至每芯片数千个，带宽突破1TB/s（如SK海力士HBM3E）。先进键合技术：混合键合（Hybrid Bonding）取代TCB（热压键合），间距缩至1μm以下（如台积电CoWoS方案），提升良率与性能。3D集成与异构计算：HBM与逻辑芯片（如GPU）通过CoWoS、InFO-3D等封装集成，支持AI/超算（如NVIDIA H100搭配6颗HBM3）。挑战：热管理（堆叠导致功耗密度超500W/cm²）、测试复杂度（Known Good Die筛选成本占比超30%）。
发展趋势：
超薄化与高密度布线：增层膜（如味之素AJ系列、积水化学的ABF）介厚降至2μm以下，支撑线宽/间距低热膨胀系数（CTE）材料：新型环氧树脂/填料复合体系（如日立化成的GX系列）匹配硅/玻璃的CTE，减少热应力导致的翘曲。光敏化改进：光敏增层膜（如Toray的Photosensitive ABF）简化制程，替代传统蚀刻工艺，提升良率（+15%以上）。挑战：供应链集中（味之素占ABF全球90%份额）、大尺寸封装（>80mm）的均匀性控制。
发展趋势：
任意层互连（Any-layer HDI）：智能手机（如iPhone主板20层以上）、服务器CPU主板普遍采用1+8+1结构，激光钻孔孔径mSAP（改良型半加成法）：替代减成法，实现3μm线宽（如奥特斯的mSAP技术），用于AiP天线模组、载板级封装。埋入式无源器件：PCB内埋置电阻/电容（如TDK的Embedded Passive），减少表面贴装空间，提升信号完整性。挑战：成本（Any-layer HDI比传统PCB贵2-3倍）、高频材料与mSAP工艺的兼容性。
HBM+先进封装：HBM3通过CoWoS-L（结合硅中介层和ABF增层膜）实现与逻辑芯片的2.5D/3D集成。高频材料+HDI：LCP天线模组与Any-layer HDI结合，用于5G手机（如三星Galaxy S24）。数据支持：Yole预测，2027年HBM市场达$150亿（CAGR 45%），ABF基板需求超30亿颗（2025年）。
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来源：证券投顾老岳
