摘要：5月下旬至今，存储芯片市场价格加速上涨价，相对于今年2月低点，DDR416GB的价格已经上涨超过100%，DDR516GB的价格上涨超过25%，并都创出2024年以来的价格新高。我们认为，三星，海力士，美光等停产DDR4等低端产品，会直接加速本轮存储芯片景气周

5月下旬至今，存储芯片市场价格加速上涨价，相对于今年2月低点，DDR416GB的价格已经上涨超过100%，DDR516GB的价格上涨超过25%，并都创出2024年以来的价格新高。我们认为，三星，海力士，美光等停产DDR4等低端产品，会直接加速本轮存储芯片景气周期。存储芯片本身的景气周期，主要受到供给和需求影响。

大厂资本开支降低，下游消费需求增长，供不应求，库存开始下降，景气/价格上升，行业进入上行周期；大厂资本开支增加，下游需求下降，供过于求，库存开始增长，价格下降，行业进入下行周期。

6月17日，美光已邮件通知客户停产DDR4/LPDDR4，预计未来2-3个季度陆续停止出货，未来仅针对车用、工业、网通的长期客户供货。继三星/海力士后，美光也确定逐步退出利基型市场；根据美光执行副总裁表示，近期存储市场已呈现供不应求状态。

今年3-4月份以Scandisk为代表的存储厂率先涨价，此后三星电子、SK海力士进行减产，并在5月份显著提升存储的出货价格，其中有报道称三星计划将DDR4的价格提高约20%，DDR5价格提升大约5%。SKHynix将DRAM价格上调12%。5月下旬至今，存储芯片市场价格加速上涨价，相对于今年2月低点，DDR416GB的价格已经上涨超过100%，DDR516GB的价格上涨超过25%，并都创出2024年以来的价格新高。我们认为存储芯片价格的上涨，会带动国内相关存储芯片公司业绩。

存储芯片价格

存储芯片是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放。存储芯片一方面存储程序代码以处理各类数据，另一方面存储数据处理过程中产生的中间数据、最终结果，是现代信息产业中广泛应用的核心零部件，深入应用到生活及生产中的方方面面，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。半导体存储器按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储和非易失性存储。

易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。DRAM结构简单，单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度慢于SRAM；此外，DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。

常见的非易失性储存器主要有NORFLASH与NANDFLASH两种。NANDFLASH适宜大容量数据存储（通常在1Gb～1Tb），常用于服务器、手机闪存、U盘、SSD及SD卡等大容量产品。NORFLASH的特征为可靠度高、读取速度快、能够在芯片内直接执行程序代码，适用于代码存储和低端嵌入式应用程序，此类场景需要可靠的性能和长时间的数据保留，并且需要经常读写，适宜中等容量代码存储（通常在1Mb～1Gb）。

NORFlash应用领域较广，如计算机、消费电子（智能手机、TV、TWS耳机、穿戴式设备）、安防设备、汽车电子（ADAS、车窗控制、仪表盘）、5G基站、工业控制（智能电表、机械控制）及物联网设备等领域。DRAM和NANDFlash是市场主流存储方案。根据Yole，目前市场上除DRAM、NANDFlash、NORFlash，其他存储技术的市场份额合计仅2%。DRAM和NANDFlash是市场主流存储方案，占据存储芯片市场95%以上份额。

储存芯片的市场结构

全球存储芯片市场被海外企业高度垄断，DRAM作为存储器第一大产品，三星、海力士、美光垄断了全球96.5%的市场份额，行业集中度高，寡头明显；NAND领域，竞争格局相对DRAM领域较分散，三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光合计占据95.5%的市场份额。我国虽然是全球最主要的存储芯片消费市场，但由于产业起步较晚，市场占有率仍相对较低，国产替代空间广阔。

以DDR系列产品为例，目前DDR已经迭代到第5代，且每一代工作电压都较前一代有所降低，这意味着随着DDR内存技术的发展，其能耗、发热量会逐步减小，体现了DRAM低功耗的发展趋势；同时DDR第1代到第5代的最大颗粒容量和最小传输速度均实现了翻倍增长，芯片容量的扩大以及传输速率的提高，体现了DRAM高性能的发展趋势处理器升级推动DDR5渗透率提升，DDR5内存将在2024年成为主流。因为DDR5的性能提升，市场DDR5渗透率在提升。预期2025年年中渗透率可能超过60%。目前三大存储原厂海力士、美光、三星均已经扩大DDR5生产，逐步停止生产DDR4。

DDR5渗透率提升

图：DDR产品性能对比

6月17日，根据Digitimes消息，美光已邮件通知客户停产DDR4/LPDDR4，预计未来2-3个季度陆续停止出货，未来仅针对车用、工业、网通的长期客户供货。继三星/海力士后，美光也确定逐步退出利基型市场；根据美光执行副总裁表示，近期存储市场已呈现供不应求状态。

我们认为，三星，海力士，美光等停产DDR4等低端产品，会直接加速本轮存储芯片景气周期。存储芯片本身的景气周期，主要受到供给和需求影响。大厂资本开支降低，下游消费需求增长，供不应求，库存开始下降，景气/价格上升，行业进入上行周期；大厂资本开支增加，下游需求下降，供过于求，库存开始增长，价格下降，行业进入下行周期。在周期判断过程中，大厂资本开支、产能规划可以作为周期前瞻指标，行业库存和存储价格可以作为节奏指标。

存储芯片作为半导体市场标准化程度最高的产品，同类产品可替代性强，受行业景气度供需关系影响较大，加上当前存储行业已形成垄断格局，头部厂商在产能规划和产品定价方面步调相对一致，因此行业周期性更强。根据半导体行业及其细分市场的销售额增速来看，存储和半导体市场的周期性趋同，但存储的行业周期波动大于其他半导体细分市场，弹性更强。

2025年2季度存储均价环比涨幅18%高于2024年1季度均价涨幅

数据来源：九方金融研究所

自2023年2季度DRAM行业见底，整体开始呈现景气向上趋势，并领先于其他芯片行业走出周期底部。但复苏的主要动力，主要还是来自于库存降低后，价格的超跌反弹以及HBM的需求，而并非是终端整体需求的增长带动。从全球半导体整体销售数据来看，全球半导体在23年Q3就开始进入正增长通道，但如果剔除掉英伟达的营收和存储几家公司的营收增长，全球半导体整体销售起始仍在负增长状态，并未转正。我们认为，本轮全球AI产业趋势下，全球互联网大厂加大资本开支，带动本轮存储芯片景气复苏，AI需求和存储芯片是全球半导体见底并复苏的主要推动因素。

图：存储芯片周期

图：全球互联网大厂资本开支情况

图：存储芯片大厂资本开支情况

目前A股存储类上市公司，以模组生产和分销代理和利基芯片三类为主，前两者都有较大的存货规模，因此在存储价格上涨过程，业绩大概率会有明显提升。存储芯片公司会因为DDR芯片价格的上涨而业绩好转。本轮存储芯片的价格涨幅高于2024年一季度，因此本次业绩的改善大概率会更加明显。

存储芯片方面，国内上市公司主要覆盖利基DRAM芯片，NORFlash芯片、小容量NANDFlash芯片和EEPROM芯片领域。兆易创新NORFlash市场产品份额位居全球第二，24年总体出货容量创历史新高，车规NORFlash保持高增长；24年DDR3L和DDR4产品出货量进一步增长，DDR48Gb产品在TV等领域的客户导入，并推出LPDDR4进一步补齐利基型DRAM产品线。北京君正存储产品主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场，SRAM、DRAM等产品在全球车规存储市场占据重要的产业地位。

存储模组方面，国内上市公司已实现嵌入式存储、固态硬盘、移动存储、内存条等产品线的广泛覆盖，并在主控芯片领域有所延伸。江波龙是全球第二大独立存储器企业及中国最大的独立存储器企业，面向消费电子、数据中心、工业、通信、汽车、安防、监控等行业应用市场和消费者市场，为客户提供高性能、高品质、创新领先的存储芯片与产品，江波龙延伸产业链条，开发的三款自研主控芯片已实现累计超3000万颗的自主应用。

佰维存储、德明利等存储模组厂亦均开发了主控芯片产品。德明利的闪存模组以自研主控芯片为核心持续研发拓展，新一代自研SD6.0存储卡主控芯片成功量产，待客户验证通过后即可批量导入；SATASSD主控芯片成功量产进展顺利；已立项PCIeSSD、UFS、eMMC主控芯片项目。佰维存储的第一款eMMC国产自研主控已进入小批量生成环节。

图：国内存储芯片情况

来源：九方金融研究所