三极管，主动纹波抑制电路以及校正电容技术分享

摘要：施密特触发器电路常用于防止重复触发，可以通过晶体管电路设计实现。施密特触发器的迟滞作用尤其有用，当触发电压接近时，它不会因信号噪声而上下切换。基于晶体管的施密特触发器电路基于双晶体管配置，并通过在电路中施加正反馈来引入两个开关过渡态的概念。

1.施密特触发器电路常用于防止重复触发，可以通过晶体管电路设计实现。施密特触发器的迟滞作用尤其有用，当触发电压接近时，它不会因信号噪声而上下切换。基于晶体管的施密特触发器电路基于双晶体管配置，并通过在电路中施加正反馈来引入两个开关过渡态的概念。

2.TR1用作比较器，输入波形通过电阻施加到TR1的基极。TR1发射极电压决定了比较器的阈值，因为基极电压必须高于基极电压0.6或0.7伏以上才能进行开关。

3.然后，该比较器的输出通过由R4和R5组成的电阻分压网络施加到第二个晶体管TR2。

4.也可以将该施密特触发器电路视为具有串联正反馈的差分放大器。但是，电阻R3也会产生负反馈。为了使电路正常工作，R2≥R6。这样，从TR1流经 R3的电流就会减少。这导致TR1切换时R3两端的电压变化比TR2切换时小得多。

查看原文：https://www.dianyuan.com/eestar/article-10938.html

前两天在群里看到有群友问有没有人用过校正电容，然后我想起来了之前抄到的一个电路，就是使用了校正电容。现在也没想明白为什么用校正电容，所以发一下文章集思广益一下。

所谓校正电容，大概就长下图这个样子，我也没实际使用过，所以说我也不对其作用过多解释。

电路抄自一个多功能信号发生器（工业控制调试），电路图为其中的一个两路PWM转DAC的功能电路，电路功能为将PWM波（PWM）转化为DAC信号输出（VOUT），用于控制4-20mA控制回路。电路图大致如下所示，其中C12与C15为校正电容，C14和C16为陶瓷电容（不清楚为啥使用两种不同的电容）：

Layout稀碎。

这个电路网络称为主动纹波抑制电路，功能就是使用反相器与阻容额外的生成一个额外的极点，从而实现低纹波输出的功能。下图选自德州仪器的技术文档zhct350（点击跳转）。

这个电路相比普通我们常见的PWM接二阶RC低通滤波做DAC来说，有一个很显著的优点，那就是建立时间更短，并且输出阻抗更低。缺点就是要额外使用反相器（贵点）。从下图仿真中也可以清晰的看到，主动纹波抑制电路的建立时间更短，并且从纹波最终输出情况可以看到，两个电路对纹波的抑制情况基本一致。

所以你知不知道为啥这个产品上使用这个黄块块的校正电容呢（为啥不都用陶瓷电容呢）？欢迎评论区留言。

目前测试电机波形的方式我看很少有人来讲，今天说说测试上下管的准备工作

测试上管一般使用差分探头测试GS和DS的电压波形，测试下管用单端即可，当然没有差分探头，也可以使用单端测试，参考地要选择电机的功率低，一般对于低速高压信号，说点题外话：layout不建议分太多地，否则会造成参考地过小，回流路径过大，干扰也越大，一般高低各一个地就好了，我看好多人设计都是将地分割很多部分，根据多年产品经验来说，高速低速高压低压数字模拟也不是绝对要分割开的，如果速率不快的电路可以数字模拟一个地，单独加磁珠隔离下，高低压这个最好要分隔开，根据能量来算，能量越大辐射干扰能力肯定是越强，干扰都是以能量的形式散发的，好了，这里就不多讲了，感兴趣的大家可以讨论。

这是测试过程中的GS回勾，一般我们选用的mos导通阈值一般是2v左右或者是3v导通，这个时候的回勾有误导通情况，这样当下管打开的时候，上下管会出现同时导通的风险，这样电源马上就会短路了，轻则烧mos，重则烧板子，这个时候就要选用阈值稍微高点的mos，当回勾的尖峰电压低于导通mos，这个时候是比较符合需要的，一般调整GS端预留的参数，至于怎么调整，这里不做过多的赘述。