摘要：半导体存储器是用来存储和读取数据的记忆部件，按断电后数据是否保存，分为易失性存储（RAM）、非易失性存储（ROM）两大类。

一. 存储器概览

半导体存储器是用来存储和读取数据的记忆部件，按断电后数据是否保存，分为易失性存储（RAM）、非易失性存储（ROM）两大类。

1.1 易失性存储（RAM）

特点：依赖持续供电，断电数据丢失，核心优势是读写速度快，适配临时数据存储与高速计算支持。

（1）SRAM（静态随机存储器）：无需周期性刷新、密度低、读写速度极快，主要用于CPU高速缓存。

（2）DRAM （动态随机存储器）：需周期性刷新、密度高、速度中等，主要用于PC/服务器/手机主内存。

1.2 非易失性存储（ROM）

特点：断电后数据保留，读写速度较慢，适配长期数据存储场景

（1）NAND Flash（NAND闪存）：存储密度高，主要用于固态硬盘、嵌入式等大容量存储。

（2）NOR Flash（NOR闪存）：随机读取速度快，适合代码执行，常用于存储代码。

二. 存储两大细分

DRAM、NAND Flash是存储领域主要产品，市场合计占比97%。

2.1 DRAM分类

（1）标准DDR：高带宽、中等功耗；作为计算机主存，用于PC、服务器；

（2）移动DDR（LPDDR）：低功耗、小尺寸；用于手机、平板。

（3）图形DDR（GDDR/HBM）：极高带宽、高功耗；GDDR用于显卡显存，HBM（高带宽内存）用于AI训练/推理。

2.2 NAND Flash分类

（1）固态硬盘（SSD）：容量大，读写速度快，主要用于PC、服务器。

（2）嵌入式存储：体积小、功耗低，主要用于汽车电子、物联网设备。

（3）移动存储：便携可插拔，主要用于U盘、移动硬盘、 SD卡。

三. 产业各环节梳理

3.1 芯片设计

（1）内存（DRAM）：兆易创新、北京君正、澜起科技。

（2）闪存（NAND/NOR Flash）：东芯股份、恒烁股份、普冉股份、聚辰股份。

3.2 晶圆制造

（1）IDM（设计/制造/封测一体化）：三星、SK海力士、美光。

（2）代工：台积电、长xin存储、长jiang存储、中芯国际、福建晋华。

3.3 封装测试

（1）海外：日月光、安靠、力成科技、京元电子。

（2）国内：长电科技、通富微电、华天科技、深科技。

3.4 模组

模组是将存储器与其他组件集成并形成最终产品，如固态硬盘、嵌入式存储、移动存储等品类。

（1）海外：三星、铠侠、SK海力士、西部数据、金士顿。

（2）国内：江波龙、佰维存储、香农芯创、德明利、协创数据。

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来源：龙头逻辑挖掘