摘要：国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119132950 A，申请日期为2024年9月。

金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119132950 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于沟槽栅的IGBT器件及其制备方法，通过两次沟槽刻蚀，第一次形成宽度较宽的第一沟槽，第二次在第一沟槽的基础上继续向下刻蚀从而形成上宽下窄的第二沟槽，并在第二沟槽中形成沟槽栅，同时将相邻两第一沟槽之间的间隔区域作为后续导电接触孔的形成区域，从而可以形成于所述第二沟槽中的介质层自对准形成所述导电接触孔的接触孔，避免采用光刻工艺形成接触孔时需要将接触孔掩膜版与沟槽栅掩膜版进行对准的过程。由于采用自对准的方式形成接触孔，后续形成的导电接触孔与沟槽栅之间距离的一致性高，所以IGBT晶圆内的饱和压降Vcesat值离散性得到大大减小甚至可以避免，同时饱和压降Vcesat值也不会增大。

来源：金融界