摘要：国家知识产权局信息显示，上海先方半导体有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119133089 A，申请日期为2024年8月。

金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海先方半导体有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119133089 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明涉及一种芯片封装结构及其制备方法。芯片封装结构包括：芯片，所述芯片包括芯片层和钝化层，所述芯片层背向所述钝化层的一侧表面为第一表面，所述钝化层背向所述芯片层的一侧表面为第二表面；所述钝化层中设置有多个所述芯片的PAD；多个硅通孔，所述硅通孔垂直于所述第一表面并从所述第一表面延伸至所述钝化层内，连接所述PAD；RDL层，覆盖所述硅通孔内壁，连接所述PAD，并延伸至所述第一表面；凹槽，位于相邻硅通孔之间，所述凹槽自所述第一表面向所述钝化层延伸，贯穿所述芯片层。本发明提供的芯片封装结构，在芯片接入交流信号时，可以降低硅通孔结构之间的寄生电容，从而提高芯片的传输性能。

来源：金融界