摘要：早在 7 月，美光就发布了全球首款的 PCIe6.0 SSD——美光 9650，顺序读写分别达到 28GB/s 和 14GB/s，随机读写性能分别为 5500K IOPS 和 900K IOPS。

存储市场可能要变天了。

早在 7 月，美光就发布了全球首款的 PCIe6.0 SSD——美光 9650，顺序读写分别达到 28GB/s 和 14GB/s，随机读写性能分别为 5500K IOPS 和 900K IOPS。

看上去提升了不少，但大伙儿似乎没太大感觉。

一方面是咱们能明显感知到的方面，NAND 随机读写延迟导致的等待时间一直也没什么大的起色。

另一方面是主流的 SSD 速度都相当快了，在一般加载场景的时间都相差不大。

不过这种情况可能很快要被打破了。

因为 UltraRAM 要来了。

看到这可能有同学不理解了，不是在聊 SSD 吗？关内存啥事儿啊？

别着急。

UltraRAM 是英国 Lancaster 大学团队折腾出来的一种「通用型非易失性存储」技术，后由 Quinas Technology 公司承接商用。

但最近他们宣布受益于新的锑化镓和锑化铝外延工艺的开发，将要实现 UltraRAM 的批量生产。

它能实现比肩内存的速度延迟以及 NAND 颗粒 4000 倍的使用寿命，并且可以拥有长达 1000 年以上的存储时间。

核心技术就是 UltraRAM 的三重势垒谐振隧穿结构（Triple-Barrier Resonant Tunnelling, TBRT）。它通过在 GaSb/AlSb/InAs 量子阱中构建多层势垒结构，利用量子隧穿效应让电子在极低电压下可逆迁移。

中译中的意思是，它能像送外卖一样，精准把电子送进存储层，而且送进去之后不会乱跑。

相比 NAND 需要高电压擦写（通常 10~20V），UltraRAM 只需要不到 2V 就能完成操作；而在切换速度上，它能达到约 100ns 级别，这已经接近 DRAM 的水平了。

在耐久性上，UltraRAM 表现得更加夸张。NAND 闪存的写入寿命一般是 3000 到 100000 次，企业级 SLC 可以到 1000000 次。而 UltraRAM 在实验中已经实现了 10000000 次以上的擦写循环，并且数据保持时间通过加速老化测试推算可超过 1000 年。

这就意味着，它不但能跑得快，还能跑得久。

至于实际应用速度嘛，大伙儿可以参考咱们之前把Windows装进内存条的教程结果：

随机读写要比现在快上 100 倍左右。

也就是平时开关机、打开大型游戏和生产力工具以及现在AI模型的加载基本能做到秒级响应，基本不用等待，关键的是它断电后数据不会消失。

看到这有同学可能要焦虑了，那我的 SSD 就要被淘汰了？

先别急。

好处说完了，那么古尔丹，代价是什么呢？

惊人的随机读写延迟很容易让大伙儿想到当初不可一世 intel 的 Optane（傲腾），拥有 3D XPoint 技术同样也是能一盘传三代的寿命。

但结果大伙儿也看到了：性能强，寿命长，但成本居高不下导致价格也更贵，压根没多少人愿意买单，让 intel 不得不砍掉这条业务。

UltraRAM 当然也可能走这条老路，毕竟它的材料工艺复杂，用到的 III-V 族化合物半导体本身就要比普通硅要高不少。

如果真的进入市场，最先用上的大概率还是对性能有刚需又能烧钱的行业，比如高性能计算、数据中心和 AI 应用。

等到 UltraRAM「下凡」到普通消费级市场当中，你的 SSD 可能都已经换过 3 轮了。

来源：极客数码君