摘要：英特尔（Intel）已正式将其在中国唯一的大连工厂（Fab 68）移交南韩SK海力士，结束其在我国的NAND闪存生产业务。此举是2020年英特尔以90亿美元将NAND业务出售给SK海力士交易的最终阶段，中国企业注册文件显示，大连工厂现更名为“SK海力士半导体（
根据媒体2025年9月5日报道，英特尔（Intel）已正式将其在中国唯一的大连工厂（Fab 68）移交南韩SK海力士，结束其在我国的NAND闪存生产业务。此举是2020年英特尔以90亿美元将NAND业务出售给SK海力士交易的最终阶段，中国企业注册文件显示，大连工厂现更名为“SK海力士半导体（大连）有限公司”。这一转移恰逢美国政府撤销英特尔等公司的“验证最终用户”（VEU）许可，限制向中国出口先进半导体设备，英特尔因此成功规避了运营风险。然而，接手工厂的SK海力士面临技术升级受限的挑战，可能对其中国市场布局构成长期压力。本文将从交易背景、监管影响、技术挑战和市场前景四个角度，深入剖析这一事件及其对全球半导体行业的意义。
英特尔大连工厂 | 图片来源于网络，侵删
英特尔于2020年10月19日宣布以90亿美元将其NAND闪存和固态硬盘（SSD）业务出售给SK海力士，交易分两阶段进行：
第一阶段（2021年12月29日）：英特尔出售SSD业务（含相关知识产权和员工）及大连工厂，获得70亿美元现金。英特尔保留部分NAND晶圆制造知识产权和员工，继续在大连工厂生产晶圆，直至交易完成。第二阶段（2025年3月27日）：SK海力士支付剩余19亿美元，全面接管大连工厂的运营权、研发团队及剩余NAND知识产权，成立子公司Solidigm（总部位于美国加州）。根据中国企业注册文件，2025年9月1日，大连工厂正式更名为“SK海力士半导体（大连）有限公司”，注册资本5010万美元，法定代表人为SK海力士高管Young-Sik Kim，标志着交易的最终完成。
英特尔出售大连工厂是其退出NAND市场、聚焦核心逻辑芯片（CPU、GPU）和代工业务（IFS）战略的一部分。2020年，英特尔的NAND业务收入约56亿美元，占总营收的7%，但利润率仅10%（远低于CPU的40%）。 大连工厂主要生产192层3D NAND（QLC技术，Solidigm品牌），技术相对成熟，但无法支持更先进的238层或321层NAND，与SK海力士、三星等竞争对手相比缺乏优势。
通过出售，英特尔获得90亿美元现金，缓解了2020-2022年因10nm工艺延误和市场竞争（AMD、台积电）导致的财务压力（2022年净亏损27亿美元）。 此外，英特尔保留了Optane/3D XPoint技术专利，专注于高性能存储（如企业级DIMM模块），并通过CHIPS法案获得80亿美元补贴，投资美国俄亥俄州和亚利桑那州的2nm工厂。
2025年8月29日，美国商务部宣布撤销英特尔、三星和SK海力士的VEU许可，结束了2022年10月以来允许这些公司向中国工厂进口美国半导体设备（无需逐案审批）的豁免政策。 新规要求：
从2025年12月31日起，上述公司需为每台设备（如KLA、Lam Research的蚀刻机）申请单独出口许可证。限制对象包括用于生产16nm以下逻辑芯片、18nm以下DRAM或128层以上NAND的设备，涵盖大连工厂的192层NAND生产。英特尔因在2025年3月完成交易，正式退出大连工厂运营，成功规避了新规的影响。 若英特尔仍持有大连工厂，其成都封装和研发设施（依赖美国设备）将面临许可证审批的不确定性，可能导致生产中断或成本上升（审批周期约6个月）。
SK海力士接手大连工厂后，成为新规的直接受影响方。大连工厂通过Solidigm生产约20%的SK海力士NAND产能（192层QLC，2024年收入约20亿美元），占其总NAND产量的1/5。 新规禁止进口先进设备（如ASML的EUV光刻机），限制工厂升级至238层或321层NAND（SK海力士最新技术，存储密度提升30%）。
120天的宽限期（至2025年12月31日）为SK海力士提供了缓冲，允许其继续使用现有设备并申请许可证。 然而，许可证审批的不确定性（通过率仅30%）和设备维护限制（美国工程师需许可证）可能迫使SK海力士重新评估中国产能布局。 SK海力士表示将与美韩政府保持沟通，争取豁免或替代方案，但长期看可能需投资100-200亿美元在韩国或美国新建工厂。
大连工厂当前生产192层3D NAND（QLC，单芯片容量1Tb），技术落后于SK海力士的韩国工厂（平泽、华城生产238层和321层NAND，容量2Tb，性能提升25%）。 要升级至更高层数，需引入EUV光刻机（ASML TWINSCAN NXE:3400C，成本约2亿美元）和先进蚀刻设备（Lam Research，约5000万美元/台），但美国新规禁止此类设备出口中国。
此外，192层NAND的制造工艺依赖浮点门（Floating Gate）技术，而SK海力士的最新工艺采用电荷捕获闪存（Charge Trap Flash, CTF），需全面改造生产线（成本约5亿美元）。 受限于设备进口，SK海力士可能需依赖中国本土设备（如中微半导体，良率仅60% vs. 美国设备的90%），导致生产效率下降10-15%。
SK海力士计划通过以下措施缓解技术限制：
本土设备替代：与中国供应商（如中微半导体、盛美半导体）合作，采购国产光刻和蚀刻设备，2026年覆盖30%设备需求。技术整合：加速大连工厂从浮点门到CTF工艺的转型，2026年实现238层NAND小规模生产（预计产能5万片/月）。产能转移：投资150亿美元在韩国清州建设新NAND工厂，2027年量产321层NAND，弥补中国产能受限。然而，上述策略需5-7年实现，短期内大连工厂可能仅维持现状（192层NAND，占全球NAND市场10%），竞争力下降。
英特尔通过出售大连工厂，成功规避了美国对中国半导体行业的最新制裁（2025年8月生效）。 90亿美元交易为英特尔提供了资金支持其2nm代工计划（俄亥俄州Fab 52/62，2026年投产），并通过CHIPS法案获得80亿美元补贴，强化美国本土制造。 此外，英特尔保留成都封装厂（生产Core Ultra CPU）和上海研发中心，维持在中国的低风险运营。
市场数据显示，2024年全球NAND市场规模约600亿美元，英特尔的退出使其专注于利润率更高的CPU（2024年收入400亿美元，占总营收70%）和AI芯片（Gaudi 3，2025年预计收入5亿美元）。 英特尔的股价（INTC）在交易完成后上涨5%（2025年3月），反映市场对其战略收缩的认可。
SK海力士接手大连工厂后，面临多重挑战：
市场份额：大连工厂占SK海力士NAND产量的20%，若无法升级，可能导致2026年市场份额从23%降至20%（三星占40%）。成本上升：设备进口限制增加维护成本（约1亿美元/年），国产设备低良率推高晶圆成本（约1000美元/片，较韩国高15%）。中国市场依赖：中国占SK海力士30%销售（2024年收入约100亿美元），但政策风险（如政府优先采购国产芯片）可能削减10%收入。尽管如此，SK海力士通过Solidigm在企业SSD市场表现强劲，2024年第四季度市占率升至31.3%（三星43.4%），得益于AI数据中心需求（HBM4和NAND需求增长20%）。 若SK海力士能在大连工厂维持生产并加速韩国投资，2027年有望恢复竞争力。
建议与展望英特尔：
聚焦代工：利用90亿美元资金加速2nm工厂建设（俄亥俄州/亚利桑那），2026年争取英伟达、AMD订单（预计10亿美元）。AI芯片布局：扩大Gaudi 3生产（台积电3nm代工），2026年目标AI市场收入10亿美元。中国战略：维持成都封装厂低调运营，避免进一步制裁风险。SK海力士：
许可证申请：在120天宽限期内，争取EUV设备进口豁免，2026年实现238层NAND试产。本土化供应链：与中微半导体等合作，2027年将国产设备占比提升至50%，降低制裁影响。全球布局：投资200亿美元在韩国/美国建新厂，2028年实现321层NAND量产，目标全球NAND市场30%份额。投资者视角：英特尔（INTC）2025年预计增长10%，得益于代工和AI芯片，但需警惕CPU市场竞争（AMD市占率35%）。SK海力士（000660.KS）因HBM4和AI需求，2025年预测增长15%，但相关地区的政策风险可能导致5%股价波动。
英特尔通过将大连工厂移交SK海力士，成功以90亿美元退出NAND市场，规避了美国对中国半导体设备的最新制裁，为其2nm代工和AI芯片战略腾出资金。 SK海力士虽获得大连工厂，但受限于设备进口限制，面临238层/321层NAND升级的瓶颈，需通过本土化和全球投资应对。
如果你关注半导体行业，英特尔的战略收缩和SK海力士的中国困局将是2026年的关键看点。120天宽限期后的许可证审批结果，将决定SK海力士能否在大连工厂延续技术竞争力！
来源：万物云联网
