摘要：9月4日，第13届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）、第13届中国电子专用设备工业协会半导体设备年会在无锡太湖国际博览中心开幕。
9月4日，第13届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）、第13届中国电子专用设备工业协会半导体设备年会在无锡太湖国际博览中心开幕。
“半导体封测先进工艺与配套产业链融通发展论坛”作为此次大会的分论坛汇聚封测领域头部企业决策者、设备材料厂商技术骨干、科研机构专家学者及行业分析师，聚焦前沿工艺，探讨如何通过技术创新实现芯片性能跃升与功耗优化;同时，围绕配套产业链，针对全球产业链重构带来的机遇与挑战，分享本土化供应链建设与全球化布局的实践经验。
图：南京邮电大学闫大鹏教授
南京邮电大学闫大鹏教授在代读报告中指出，美西方对华先进制程封锁步步升级，16 nm及以下工艺、EDA工具、AI芯片相继被卡脖子，“工艺回退”倒逼国产高集成度方案。Chiplet通过“把SoC打碎再重组”，将18个月设计周期压缩至6–9个月，并在性能、功耗、良率上全面领先传统SoC。
关键技术有三：
1. 2D/2.5D硅中介层、有机中介层已规模量产；3D TSV、玻璃中介层仍处学术攻坚。
2. 互联标准走向统一：国际UCle、国内《集成芯片与Chiplet白皮书》、五款国标已发布。
3. 测试成为新瓶颈——异构堆叠带来“绑定前-中-后”三段式测试，故障模型、EDA工具、测试向量长度暴增10倍，学术界正围绕TSV/RDL故障建模、AI辅助测试调度、硬件木马检测等展开攻关。
图：中科新集成王成先研究员王成迁
中科新集成王成先研究员王成迁给出两组“万亿”数据： 2030年全球集成电路产值破1万亿美元，45%增量来自AI/HPC； 单系统晶体管数奔向1万亿颗，仅靠先进制程只能堆2000亿，剩余8000亿必须靠2.5D/3D封装“搭积木”。
台积电3D Fabric、Intel EMIB+FoBOS、国产“Find-Out”三套方案同台竞技；混合键合（Cu-Cu直接键合）把凸点间距从50 μm一路压到0.5 μm，功耗降低25%，带宽提升10倍。
但“四面墙”亟待突破：存储墙、面积墙、功耗墙、功能墙。光电共封装（CPO）可把互连能耗再降10倍，成为光进铜退新方向。
图：通富微电高级总监张健
通富微电高级总监张健用一张“世界地图”点出残酷现实：全球测试机市场被爱德万、泰瑞达两家独占80%；中国大陆虽有58家供应商，却深陷“中低端+同质化”内卷。
细分突围路径： 模拟/功率测试机：华峰、长川已可常温、高温全替代； 数字中高端：110 GHz高速接口、SLT系统级测试仍被“卡”； 新兴需求：条带测试、蓝膜测试、第三代半导体单颗裸芯测试，国产刚刚起步。
除此之外张健先生呼吁产业“给机会、真试用”，以市场迭代倒逼设备迭代。
图：华润微总监邵峰
华润微邵峰总监提出“晶圆制造2.0”概念——把“设计+晶圆+封测+系统”拉回同一片区，缩短90 nm BCD平台产品16周验证周期，通过“就近迭代”应对国内“成熟制程过剩、先进制程紧缺”的结构性矛盾。华润微六/八/十二英寸全线布局，BCD最小40 nm，封装端六面防潮“冠军标”塑料封装、车规陶瓷封装一站式打通，为国产IDM 2.0提供样本。
图：南京理工大学包华广教授
南京理工大学包华广教授提醒，3D封装带来“电-磁-热-力”跨尺度耦合，单一工具已无法支撑。团队提出“空间多尺度飞型网格+时间多尺度自适应步长”算法，在国产超算平台实现百万核并行、60%并行效率，电热耦合精度>95%，热力形变误差
图：恩纳基研究院院长周佳
恩纳基研究院院长周佳院长认为，先进封装设备必须“像乐高又像AI”：
平台化：TCB核心温压模块不变，只需换stage/焊头即可覆盖WLO、FCBGA、光模块三大应用； 模块化：空间分布式驱动，70%功能提前standby，客户定制只需拼插30%； 智能化：7轴Z向实时补偿+氮气微环境闭环，切换产品5片料以内完成自学习。 公司已布局AOI+Die Bond+Laser Bond全系列，呼吁上下游共建联合开发平台，解决“CPU光模块整合成交换机”新形态带来的跨界工艺难题。
图：无锡中微腾芯张凯红总经理
无锡中微腾芯张凯红总经理把Chiplet测试拆成“三层台阶”：
1. 物理层：TSV缺陷≈5%，需结合ATE+矩阵网络+六角网格算法，压缩测试向量；
2. 协议层：UCIe、AIB、CIB多协议兼容，用1149.10 HS-Port+PandA架构实现高带宽边带测试；
3. 系统层：SLT跑真实AI框架，监测误码率、热稳定性、软硬件协同。
提出“KGD数据互通”倡议：把工艺节点、电迁移、TSV应力、老化失效等数据标准化，供上下游共享，以测试大数据反哺良率预测。
图：大连科莱德副总经理裴凯
大连科莱德副总经理裴凯给出两组反差数据：先进封装仅占全球出货量7.4%，却拿走48%产值；2.5D/3D复合增速18%，2030年市场830亿美元。
材料成为“看不见的冠军”。
TSV刻蚀：SF₆+C₄F₈气体，国产7N纯度已过关；
混合键合：SiO₂-SiO₂、Cu-Cu需高纯硅烷、TEOS、NH₃，科莱德12款前驱体已导入台积电、长电科技；
深沟电容：TMAA替代易燃TMA，ALD温度窗口拓宽至240–380 ℃，助力国产低漏电DRAM。
呼吁“材料-设备-工艺”联合攻关，避免“PSPI断供”事件重演。
图：江苏新感刘建华总经理
图：润心微王荣华副总经理王荣华
江苏新感刘建华总经理、润心微王荣华副总经理王荣华、无锡中微高科周立业高工分别从“器件-材料-封装”三视角给出共识：
碳化硅价格雪崩——6英寸衬底从万元砍至3000元，二极管进入“一字头”时代，以价换量拐点已至；
氮化镓双向开关、Cascode、SIP集成三大形态齐发，1 MHz以上高频要求封装电感
高密度有机基板14 μm线宽/线距、65 mm×65 mm大尺寸、20层布线、2万+微凸点，国产ABF、CBF增层膜良率突破98%，玻璃基板进一步缩到10 μm，为800 V AI电源、车载OBC提供“面积墙”解决方案。
图：桂林电子科大杨道国
桂林电子科大杨道国教授指出，智能传感器市场2028年将达6000亿元，封装占比1/3，但“品种多、批量小、成本高、周期长”痛点突出。
团队首创“膜辅助碰撞开窗”工艺：
高温膜真空覆型+动态压件，感应区零溢胶、零划伤；
多腔体多模态一次成型，把封装成本占比从70%降到30%；
已用于激光雷达、指纹模组、温湿压三合一传感器，2023年孵化企业产值破亿元。
桂林电子科大建成全国高校最大封装人才培养基地（本科-硕士-博士-博士后完整链条），年产200+毕业生，为“非标准封装”提供持续人力池。
来源：芯榜一点号
